| 主权项 |
1.一种产制半导体结构之方法,该方法包括:提供半导体基材或基材组件;提供液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中“二烯"系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、其氟化衍生物、其另外含有杂原子诸如卤基、Si、S、Se、P、As、N、或O之衍生物、或其组合物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;及使该经蒸发之先质组成物与至少一种氧化气体同时面向该半导体基材或基材组件,以于该半导体基材或基材组件表面上形成钌氧化物薄膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该基材或基材组件之温度系约130℃至约300℃。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该基材或基材组件之温度系约140℃至约180℃。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该基材或基材组件系容装于一反应槽中,压力系约10-3托耳至约1大气压。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该基材或基材组件系容装于一反应槽中,压力系约0.1托耳至约10托耳。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该基材或基材组件系容装于一反应槽中,压力系约0.1托耳至约10托耳。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该蒸发该液体先质之步骤系包括一化学蒸汽沉积技术,选自闭蒸、扩散、微滴形成、及其组合。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体基材或基材组件系包括一矽晶圆。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该先质组成物系于至少一种载体气体存在下蒸发。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该氧化气体系选自O2.N2O、O3.NO、NO2.H2O2.H2O及其组合物。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该氧化气体系为O2。12.一种产制半导体结构之方法,该方法包括:提供半导体基材或基材组件,其系约130℃至约300℃之温度,容装于压力约10-3托耳至约1大气压之反应槽中;提供温度约20℃至约50℃之液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中“二烯"系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、其氟化衍生物、其另外含有杂原子诸如卤基、Si、S、Se、P、As、N、或O之衍生物、或其组合物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;及使该经蒸发之先质组成物与至少一种氧化气体同时面向该半导体基材或基材组件,以于该半导体基材或基材组件表面上形成钌氧化物薄膜。13.一种产制半导体结构之方法,该方法包括:提供半导体基材或基材组件;提供液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中“二烯"系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、其氟化衍生物、其另外含有杂原子诸如卤基、Si、S、Se、P、As、N、或O之衍生物、或其组合物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;使该经蒸发之先质组成物与至少一种氧化气体同时面向该半导体基材或基材组件,以于该半导体基材或基材组件表面上形成钌氧化物薄膜;及使该钌氧化物薄膜退火。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该退火步骤系于约300℃至约1000℃之温度下进行。15.一种产制半导体结构之方法,该方法包括:提供半导体基材或基材组件,其包括一个具有一或多个小型高宽高比开口之表面;提供液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中“二烯"系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、其氟化衍生物、其另外含有杂原子诸如卤基、Si、S、Se、P、As、N、或O之衍生物、或其组合物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;及使该经蒸发之先质组成物与至少一种氧化气体同时面向该半导体基材或基材组件,以于该具有一或多个高宽高比开口之半导体基材或基材组件表面上形成钌氧化物薄膜。16.一种于一基材上形成钌薄膜之方法,该方法包括:提供一基材;提供液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中“二烯"系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、其氟化衍生物、其另外含有杂原子诸如卤基、Si、S、Se、P、As、N、或O之衍生物、或其组合物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;及使该经蒸发之先质组成物与至少一种氧化气体同时面向该基材,以于该基材表面上形成钌氧化物薄膜。17.一种产制半导体结构之方法,该方法包括:提供半导体基材或基材组件,包括一个具有一或多个高宽高比开口之表面,其系为约150℃至约350℃之温度,其中该半导体基材系容装于压力约10-3托耳至约1大气压之反应槽内;提供温度约20℃至约50℃之液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中“二烯"系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、其氟化衍生物、其另外含有杂原子诸如卤基、Si、S、Se、P、As、N、或O之衍生物、或其组合物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;及使该经蒸发之先质组成物与至少一种氧化气体同时面向该半导体基材或基材组件,以于该具有一或多个小型高宽高比开口之半导体基材或基材组件表面上形成钌氧化物薄膜。图式简单说明:第一图系为适用于本发明方法之化学蒸汽沉积涂布系统之图示。 |
