| 主权项 |
1.一种内金属介电层结构,其系应用于一具多重金属层结构之积体电路中,该积体电路系具有一第一金属层以及一第二金属层,而本内金属介电层结构包含:一第一氧化矽层,位于该第一金属层之上;一旋涂式玻璃层,位于该第一氧化矽层之上;一蚀刻终止层,位于该旋涂式玻璃层之上;以及一第二氧化矽层,位于该蚀刻终止层之上与该第二金属层之下,其中该蚀刻终止层于后续导通孔(viathrough hole)制作过程中所进行之一湿蚀刻,相对于该等氧化矽层与该旋涂式玻璃层具有一低蚀刻比之特性,而能得一较佳之导通孔轮廓。2.如申请专利范围第1项所述之内金属介电层结构,其中该第一氧化矽层与该第二氧化矽层系由一电浆加强化学气相沉积法所完成。3.如申请专利范围第1项所述之内金属介电层结构,其中该蚀刻终止层系由选自氮化硼、碳化矽、非晶矽中之一材质所完成。4.如申请专利范围第1项所述之内金属介电层结构,其中为形成该导通孔(via through hole)所进行之该湿蚀刻系为运用一缓冲氧化物蚀刻液(Buffer OxideEtcher, BOE)所进行之化学湿式蚀刻(Chemical Wet Etch)。5.如申请专利范围第1项所述之内金属介电层结构,其中该蚀刻终止层系由以电浆加强化学气相沉积法所沉积厚度约为200埃至1000埃之氮化矽所完成。6.如申请专利范围第1项所述之内金属介电层结构,其中该由氮化矽所完成之蚀刻终止层与该第二氧化矽层系于同一反应室内以电浆加强化学气相沉积法所形成。7.一种内金属介电层形成方法,其系应用于一具多重金属层结构之积体电路中,该积体电路系具有一第一金属层以及一第二金属层,而本方法包含下列步骤:于该第一金属层之上形成一第一氧化矽层;于该第一氧化矽层之上形成一旋涂式玻璃层;于该旋涂式玻璃层之上形成一蚀刻终止层;以及于该蚀刻终止层之上形成一第二氧化矽层,进而完成该第一金属层与该第二金属层之间之该内金属介电层,其中该蚀刻终止层于后续之导通孔(viathrough hole)制作过程中所进行之一湿蚀刻,相对于该等氧化矽层与该旋涂式玻璃层具有一低蚀刻比之特性,而能得一较佳之导通孔轮廓。8.如申请专利范围第7项所述之内金属介电层形成方法,其中该第一氧化矽层与该第二氧化矽层系由一电浆加强化学气相沉积法所完成。9.如申请专利范围第7项所述之内金属介电层形成方法,其中该蚀刻终止层系由选自氮化硼、碳化矽、非晶矽中之一材质所完成。10.如申请专利范围第7项所述之内金属介电层形成方法,其中为形成该导通孔(via through hole)所进行之该湿蚀刻系为运用一缓冲氧化物蚀刻液(Buffer Oxide Etcher, BOE)所进行之化学湿式蚀刻(ChemicalWet Etch)。11.如申请专利范围第7项所述之内金属介电层形成方法,其中该蚀刻终止层系由以电浆加强化学气相沉积法所沉积厚度约为200埃至1000埃之氮化矽所完成。12.如申请专利范围第11项所述之内金属介电层形成方法,其中该由氮化矽所完成之蚀刻终止层与该第二氧化矽层系于同一反应室内以电浆加强化学气相沉积法所形成。图式简单说明:第一图:其系为习用三明治式(Sandwich Type)结构之内金属介电层示意图。第二图:其系于习用三明治式(Sandwich Type)结构之内金属介电层中用以提供金属插塞(plug)沉积生长之导通孔(via through hole)剖面示意图。第三图:其系为于完成在晶片边缘提供切割之街道区处之习用三明治式(Sandwich Type)结构之内金属介电层之示意图。第四图:其系为本案较佳实施例所揭露之内金属介电层结构示意图。第五图:其系于本案较佳实施例所揭露之内金属介电层中用以提供金属插塞(plug)沉积生长之导通孔(via through hole)剖面示意图。第六图:其系为于完成在晶片边缘提供切割之街道区处之本案较佳实施例所揭露之内金属介电层之示意图。 |
