发明名称 热性增强的覆晶封装及形成方法
摘要 导热的平面式构件可与封装在介电材料内的覆晶(flip chip)作热传递,该介电材料系围绕该导热的平面式构件的各部分、该覆晶、一基板构件的既定部分。本发明提供一种具有随选即放(pick-and-place)能力而不含有被覆盖晶片封装的热阻缺点之覆晶封装。
申请公布号 TW434759 申请公布日期 2001.05.16
申请号 TW085113991 申请日期 1996.11.15
申请人 万国商业机器公司 发明人 艾立克A.强生
分类号 H01L21/56 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种覆晶封装,包括:一基板构件,具有复数个电路于其内;一覆晶,安装在该基板上以便与该基板中所配置之该等电路中的既定电路导通,该覆晶具有与该基板间隔开的平面式上表面以及复数个隔开的且围绕在该平面式表面既定周围的边缘表面,该等边缘表面实质上与该平面式表面成垂直关系;导热的平面式构件,配置成与该覆晶的平面式上表面成导热状态并具有复数个边缘表面,此等表面系沿该导热的平面式构件之既定周边延伸;以及实质上刚硬的介电材料,环绕着该导热的平面式构件边缘表面、该覆晶的边缘表面、该基板构件的至少一部分。2.根据申请专利范围第1项所述之覆晶封装,其中该覆晶在该基板上延伸一段既定距离,而且在与该覆晶组合后,该导热平面式构件的厚度被选择成可提供结构上的厚度,此厚度系在该基板构件之上延伸一既定距离。3.根据申请专利范围第1项所述之覆晶封装,其中该导热的平面构件是以一导热的黏性材料来接合至一覆晶的上平面式表面。4.根据申请专利范围第1项所述之覆晶封装,其中该导热的平面构件是由铜形成的。5.一种形成一覆晶封装之方法,包括:提供一具有复数个电气接点于其上之基板构件;提供一覆晶,此晶片具有复数个电气接点于其下表面,一平面式上表面以及复数个在该下表面与上表面之间延伸的边缘表面;连接该覆晶的电气接点与该基板上的电气接点;提供一导热式平面构件,此构件具有复数个配置在周边的边缘表面;放置该导热的平面式构件使之与该覆晶的上表面作热传递;放置该导热的平面式构件、该覆晶、该基板构件于一模穴中,其中该基板构件的既定部分与该模穴共同作用以界定实质上封闭的穴;将可模制的介电材料射入该实质上封闭的穴中;硬化该可模制的介电材料并藉此形成一实质上刚硬的介电覆盖层在该:导热的平面式构件的边缘表面,该覆晶的边缘表面、该基板构件的既定部分上,而且形成一实质上包封住的覆晶封装,此封装包括:导热的平面构件,该覆晶及该基板构件的既定部分;以及自该封闭的穴中移除该复晶封装。6.根据申请专利范围第5项之形成覆晶封装之方法,其中该模穴具有既定的高度,而且该导热的平面式构件之厚度被选择成:在安装在该覆晶的上平面表面时,该平面式构件在该基板构件上延伸一既定高度,该既定高度实质上等于该模穴之高度。7.根据申请专利范围第5项之形成覆晶封装之方法,其中放置该导热平面式构件于该覆晶之上表面的步骤包括:用一导热的黏性材料将该平面式构件与该覆晶之上表面结合。图式简单说明:第一图A系根据本发明第一实施例之覆晶封装的示意剖面图,该图系显示该封装的覆晶及基板元件的前视图及于导热平面构件及覆晶之间之介电材料;第一图B系根据本发明第二实施例之覆晶封装的示意剖面图,该图系显示该封装的覆晶及基板元件的前视图及于导热平面构件及覆晶之间之黏性材料;以及第二图系本发明之用以形成覆晶封装的主要步骤的流程图。
地址 美国