| 主权项 |
1.一种测试键的结构,适用于晶圆的测试方法中,至少包括:一基底;一测试元件结构,位于该基底上;一内介电层,位于该测试元件结构之上方;一接地金属层,位于该内介电层上方;一内连线区,位于该接地金属层上方;一焊垫层,位于该内连线上方;以及一保护层,位于该焊垫层上方。2.如申请专利范围第1项所述之测试键的结构,其中该接地金属层与该内连线区、该测试元件结构和该焊垫层无电性相接。3.如申请专利范围第1项所述之测试键的结构,其中该测试元件结构经由该内连线区和该焊垫层电性相接。4.如申请专利范围第1项所述之测试键的结构,该内连线区包括复数个内连线金属层和复数个内金属介电层,其中该些内连线金属层与该些内金属介电层系交替堆叠。5.如申请专利范围第1项所述之测试键的结构,其中在该内连线区中更包括复数个接地金属层。6.一种晶圆的测试方法,用于判断内连线制程与元件区制程之电浆损害,至少包括下列步骤:提供具有一接地金属层之一第一测试键;对该第一测试键进行一第一电性测试步骤,以得到一第一结果;提供不具有该接地金属层之一第二测试键;以及对该第二测试键进行一第二电性测试步骤,以得到一第二结果。7.如申请专利范围第6项所述之晶圆的测试方法,其中该第一结果显示正常且该第二结果显示不正常,系该内连线制程产生电浆损害。8.如申请专利范围第6项所述之晶圆的测试方法,其中该第一结果显示不正常且该第二结果显示不正常,系该元件制程产生电浆损害。9.如申请专利范围第6项所述之晶圆的测试方法,其中该第一结果显示正常且该第二结果正常,系该内连线制程与该元件程无电浆损害。11.如申请专利范围第7项所述之晶圆的测试方法,其中该第一电性测试步骤和该第二电性测试步骤包括晶圆测试法(WAT)。12.如申请专利范围第8项所述之晶圆的测试方法,其中该第一电性测试步骤和该第二电性测试步骤包括晶圆测试法(WAT)。13.如申请专利范围第9项所述之晶圆的测试方法,其中该第一电性测试步骤和该第二电性测试步骤包括晶圆测试法(WAT)。14.如申请专利范围第6.7.8.9项所述之晶圆的测试方法,其中该第一电性测试步骤和该第二电性测试步骤包括晶圆测试法(WAT)。图式简单说明:第一图是习知的一种晶圆结构的鸟瞰图;第二图为习知的测试键之结构剖面示意图;以及第三图为本发明一较佳实施例,一种测试键之结构剖面示意图。 |
