发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明提供一种可提高安装时之有效面积率,降低成本之半导体装置制造方法。准备至少具有岛33及导线端子34之共同基板30。对共同基板30,施予半导体晶片39之晶片黏合及导线连接,然后灌注树脂52将所有半导体晶片39一起密封。将树脂52之弯曲表面削平而加工成平坦面。然后,将树脂52与共同基板30一起切断,使半导体装置个别切出。
申请公布号 TW434755 申请公布日期 2001.05.16
申请号 TW087118397 申请日期 1998.11.05
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 兵藤治雄;谷孝行;谷隆生
分类号 H01L21/44 主分类号 H01L21/44
代理机构 代理人 陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈昭诚 台北巿武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种半导体装置之制造方法,包括:准备具有用以固定复数个半导体晶片的元件搭载部之共同基板之步骤;对前述各元件搭载部固定半导体晶片之步骤;由前述共同基板上方供给树脂,以连续树脂层被覆包含半导体晶片在内之复数个元件搭载部之步骤;将前述连续树脂层上面加工成平坦面之步骤;以及将前述连续树脂层,按每一元件搭载部,与前述共同基板一起切断,使半导体装置个别分离之步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该共同基板为导线框架者。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该共同基板为绝缘基板者。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该加工为平坦面之步骤系以切割刀片切割者。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该分离为个别半导体装置之步骤系以切割刀片切割者。图式简单说明:第一图为用以说明本发明制造方法之(A)平面图,(B)剖面图。第二图为用以说明本发明制造方法之剖面图。第三图为用以说明本发明制造方法之斜视图。第四图为用以说明本发明制造方法之剖面图。第五图为用以说明本发明第2实施形态之(A)平面图,(B)剖面图。第六图为用以说明习用半导体装置之图。
地址 日本