| 主权项 |
1.一种形成一半导体电晶体的方法,至少包含:提供一底材;形成一抗穿透区域于该底材内;形成至少一沟渠于该底材上,且该至少一沟渠位于该抗穿透区域上方;形成一闸极氧化层于该至少一沟渠表面上及该底材上;形成至少一导体层于该闸极氧化层上;形成一图案化光阻层于该至少一导体层上,以定义一闸极区域于该至少一导体层上;蚀刻该至少一导体层,且该图案化光阻层系作为蚀刻罩幕;移除该图案化光阻层;形成一隔绝层于该至少一导体层之最顶层上及该至少一导体层的侧壁上;及形成一源/汲极区域于该底材中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之至少一导体层至少包含一第一导体层与一第二导体层,且该第二导体层位于该第一导体层上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之第一导体层至少包含多晶矽。4.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之第二导体层至少包含矽化钨(WSi)。5.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之第二导体层至少包含矽化钛(TiSix)。6.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之第二导体层至少包含矽化钴(CoSix)。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之闸极区域系以微影程序来定义。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之隔绝层至少包含氧化物。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之隔绝层至少包含氮化矽。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之隔绝层至少包含氮氧化矽(SiON)。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之源/汲极区域系以离子植入程序来形成。12.一种形成一闸极的方法,至少包含:提供一底材;形成至少一沟渠于该底材上;形成一闸极氧化层于该至少一沟渠表面上与该底材上;形成至少一导体层于该闸极氧化层上;以一图案化光阻层定义一闸极区域于该至少一导体层上;蚀刻该至少一导体层,且该图案化光阻层系作为蚀刻罩幕;移除该图案化光阻层;及形成一隔绝层于该至少一导体层之顶层上及该至少一导体层之侧壁上。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之至少一导体层包含一第一导体层与一第二导体层所组成的一复合层,且该复合层之该第二导体层位于该第一导体层之上。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第一导体层至少包含多晶矽。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第二导体层至少包含矽化钨(WSi)。16.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第二导体层至少包含矽化钛(TiSix)。17.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第二导体层至少包含矽化钴(CoSix)。18.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之隔绝层至少包含氧化物。19.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之隔绝层至少包含氮化矽。20.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之隔绝层至少包含氮氧化矽(SiON)。21.一种形成一半导体电晶体的方法,至少包含:提供一底材;形成两沟渠于该底材上;形成一抗穿透区域于该底材内;形成一闸极氧化层于该两沟渠的表面上及该两沟渠之间该底材的表面上;沉积一第一导体层于该闸极氧化层上;沉积一第二导体层于该第一导体层上;形成一已图案化光阻层于该第二导体层上;蚀刻该第一导体层与该第二导体层;移除该已图案化光阻层;形成一轻掺杂区域于该底材中;沉积一隔绝层于该第二导体层上及该第一导体层与该第二导体层的侧壁;及形成一源/汲极区域于该底材中。22.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之该闸极氧化层系以沉积程序而形成。23.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之第一导体层至少包含多晶矽。24.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之第二导体层至少包含矽化钨(WSi)。25.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之第二导体层至少包含矽化钛(TiSix)。26.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之第二导体层至少包含矽化钴(CoSix)。27.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之轻掺杂区域系以离子植入程序而形成。28.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之隔绝层至少包含氧化物。29.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之隔绝层至少包含氮化矽。30.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之隔绝层至少包含氮氧化矽(SiON)。31.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之源/汲极区域系以离子植入程序而形成。图式简单说明:第一图系表示一传统电晶体的截面图;第二图至第八图系表示本发明之一实施例所提供之制作具有双沟渠式闸极的电晶体的流程截面图。 |
