CVD装置

摘要

[课题]提供在反应气体导入部周围之死角不产生反应气体之循环流和滞留之薄膜形成装置。[解决手段]为具有配备反应气体导入部13和基板支持体12之反应容器11，且对基板支持体上之基板23由反应气体导入部导入反应气体，并经由对反应气体导入部供给高周波电力，生成等离子体并激起反应气体之化学反应而在基板上淀积薄膜之薄膜形成装置，在反应气体导入部周围之死角作成吹扫气体之气体流动并设置气体导入部27，29，30，31。藉由此气体流动，可令易滞留于死角之反应气体等亦被合并挤压流动，防止反应气体之循环流和滞留之发生。

主权项

1.一种CVD装置,系在具气密性之反应容器之上壁中央设有反应气体导入部,在该反应容器之底部设有反应气体排气口,及在该反应容器之内部中央配置有基板保持体,并藉由利用等离子体、热等之气相反应,在基板上淀积薄膜之CVD装置,其特征为:具备位于上述反应容器之上壁近旁、在上述反应气体导入部之周围所形成之死角中,用以导入吹扫气体之气体导入机构;及将由上述反应气体排气口排出之吹扫气体予以排气之排气机构;上述气体导入机构,系由相对于上述反应容器上壁之中心轴以对称地等间隔所形成之多数的气体导入孔,连系气体导入孔之在上壁内面侧所形成之通路,及覆盖通路之多孔板所构成:以及上述排气机构,系为相对于上述反应容器下壁之中心轴以对称地位置所形成之多数的排气口,其藉由上述吹扫气体的流动,使上述反应气体侵入上述死角,抑制其有滞留产生,并且,吹扫气体均匀地向下流动,使发生于上述死角内之反应气体的流动不会紊乱。图式简单说明:第一图示出本发明PECVD装置之代表性实施形态的纵切面图。第二图放大示出多孔板及通路部分之切面图。第三图示出反应气体与吹扫气体之流动流线图。第四图示出先前之PECVD装置之纵切面图。第五图示出先前之PECVD装置中,死角与反应气体滞留状态之图示。