| 主权项 |
1.一种用于形成一半导体装置之制程,包含以下步骤:置放一基质(27)于一装置(20)内之一抛光垫(22)之上,其中一层(52)置于基质(27)之上;抛光该层(52)以及于一第一时段使用一调制器(29)调制该抛光垫(22),在该第一时段后于第二时段使用调制器(29)在未调制该抛光垫(22)之下抛光该层(52);以及在抛光步骤之后从该装置(20)移开该基质(27)。2.一种用于形成一半导体装置之制程,包含以下步骤:使用一第一调制器(39)调制一抛光垫(20);置放一基质(27)于一装置(20)内之一抛光垫(22)之上,其中一层(52)于调制步骤之后置于基质(27)之上;抛光该层(52)以及于一第一时段中使用第二调制器(29)调制该抛光垫(22);在该第一时段后于第二时段在未调制该抛光垫之下抛光该层(52);以及在抛光步骤之后从该装置(20)移开该基质(27)。3.一种用于形成一半导体装置之制程,包含以下步骤:置放一基质(27)于一装置(20)内之该抛光垫(22)之上,其中一层(52)置于基质(27)之上;抛光该层(52)以及于一第一时段中使用一调制器(29)调制该抛光垫(22),其中使用具有一第一型态和一第一数値之一第一调制参数执行该调制;抛光该层(52)以及在第一时段后于一第二时段间使用该调制器(29)调制该抛光垫(22),其中使用具有一第二型态和不同于该第一数値之第二数値的一个第二调制参数;以及在抛光步骤之后从该装置(20)移开该基质(27)。4.如申请专利范围第3项中之制程,其中:该第一型态之第一调制参数系与第二型态之第二调制参数相同且包括向下压力,旋转速度或线速度;以及该第二调制参数之第二数値系小于第一词制参数之第一数値。5.如申请专利范围第1.2.3或4项中之制程,其中该第一时段至少大约系等于该第二时段。6.如申请专利范围第1.2.3或4项中之制程,其中该第一时段至多大约系7倍于该第二时段。图式简单说明:第一图包括了一抛光系统(先前技艺)之一上视图之一举例说明;第二图包括了如本发明之一具体实例中所使用之一抛光制程之一制程流程图;第三图包括了具备一垫层,一抛光一停止层,以及浅且宽的沟之一模式化半导体装置基质之一部分的横剖面视图之一举例说明;第四图包括了具备一调合绝缘层之第三图基质的一横剖面视图之一举例说明;第五图包括了第四图基质之一横剖面视图之一举例说明,于此蚀刻该抛光-停止层上之调和绝缘层;第六图包括了抛光后第五图基质之一横剖面视图之一举例说明;以及第七图包括了根据本发明之一替代具体实例之一上视图之一举例说明; |
