| 主权项 |
1.一种抗反射层之结构,包括:一富含氧之氮氧化矽层;一富含氮之氮氧化矽层;以及一氮氧化矽堆叠层介于该富含氧之氮氧化矽层与该富含氮之氮氧化矽层之间。2.如申请专利范围第1项所述之抗反射层之结构,其中,该氮氧化矽堆叠层中愈接近该富含氧之氮氧化矽层之处其氧含量愈高,愈接近该富含氮之氮氧化矽层之处其氮含量愈高。3.如申请专利范围第1项所述之抗反射层之结构,其中,该富含氧之氮氧化矽层、该富含氮之氮氧化矽层与该氮氧化矽堆叠层系以一加强型电浆化学气相沉积制程所形成者。4.如申请专利范围第3项所述之抗反射层之结构,其中,该加强型电浆化学气相沉积制程所使用之气体包括矽烷、氨气及一氧化二氮。5.如申请专利范围第4项所述之抗反射层之结构,其中,该加强型电浆化学气相沉积制程系维持矽烷与氨气之流量,改变一氧化二氮气体之流量以形成该该抗反射层之结构。6.一种抗反射层之制造方法,该方法包括:使用矽烷、氨气及一氧化二氮为反应气体,进行一加强型电浆化学气相沈积制程,以形成一富含氧之氮氧化矽层;维持矽烷与氨气之流量,并递减一氧化二氮之流量,持续进行该加强型电浆化学气相沈积制程以在该富含氧之氮氧化矽层上形成一氮氧化矽堆叠层;以及维持矽烷与氨气之流量,但不提供任何一氧化二氮,持续进行该加强型电浆化学气相沈积制程,以在该氮氧化矽堆叠层上形成一富含氮之氮氧化矽层。7.如申请专利范围第6项所述之抗反射层之制造方法,其中,形成该富含氧之氮氧化矽层之该加强型电浆化学气相沈积制程中,该矽烷之流量约为每分钟150立方公分,该氨气之流量约为每分钟2公升,该一氧化二氮气体之流量约为每分钟2公升。8.如申请专利范围第7项所述之抗反射层之制造方法,其中形成该氮氧化矽堆叠层之该加强型电浆化学气相沈积制程中,一氧化二氮气体之流量由每分钟2公升开始递减。9.一种半导体元件之图案转移的方法,该方法包括:提供一基材;在该基材上形成一材质层,该材质层具有反光性质;在该反光材质上形成一氮氧化矽渐层在该氮氧化矽渐层上形成一光阻层;以及进行一微影制程将图案转移至该光阻层上。10.如申请专利范围第9项所述之半导体元件之图案转移的方法,其中形成该氮氧化矽渐层的方法系使用一加强型电浆化学气相沈积制程。11.如申请专利范围第9项所述之半导体元件之图案转移的方法,其中该加强型电浆化学气相沈积制程系使用矽烷、氨气及一氧化二氮气体作为反应气体。12.如申请专利范围第9项所述之半导体元件之图案转移的方法,其中该氮氧化矽渐层的形成方法包括:使用矽烷、氨气及一氧化二氮为反应气体,进行一加强型电浆化学气相沈积制程,以形成一富含氧之氮氧化矽层;维持矽烷与氨气之流量,并递减一氧化二氮之流量,持续进行该加强型电浆化学气相沈积制程以在该富含氧之氮氧化矽层上形成一氮氧化矽堆叠层;以及维持矽烷与氨气之流量,但不提供任何一氧化二氮,持续进行该加强型电浆化学气相沈积制程,以在该氮氧化矽堆叠层上形成一富含氮之氮氧化矽层。13.如申请专利范围第12项所述之半导体元件之图案转移的方法,其中,形成该富含氧之氮氧化矽层之该加强型电浆化学气相沈积制程中,该矽烷之流量约为每分钟150立方公分,该氨气之流量约为每分钟2公升,该一氧化二氮气体之流量约为每分钟2公升。14.如申请专利范围第12项所述之半导体元件之图案转移的方法,其中形成该氮氧化矽堆叠层之该加强型电浆化学气相沈积制程中,一氧化二氮气体之流量由每分钟2公升开始递减。图式简单说明:第一图为按本发明之较佳实施例绘示氮氧化矽渐层之构造。第二图A至第二图B为按本发明之较佳实施例绘示半导体金属导线之制造剖面略图。第三图A至第三图B为按本发明之较佳实施例绘示金氧半导体之多晶矽闸极之制造剖面略图。第四图A至第四图B为按本发明之较佳实施例绘示浅沟渠隔离区之制造剖面略图。 |
