| 主权项 |
1.一种制造铁电性记忆体元件之方法,包括之步骤为:形成第一中间绝缘层于其上形成有一电晶体的一半导体基板上;依序形成电容器下部电极用第一导电层与一铁电性层于该第一中间绝缘层上;及以多层结构形成一该电容器上部电极用Pt层于该铁电性层上,该Pt层中含有氧。2.如申请专利范围第1项之方法,其中所述多层结构的Pt层系以气压10至100mTorr,温度300至1,000℃,及功率0.1至1KW下形成者。3.如申请专利范围第1项之方法,其中所述多层结构的Pt层系用Ar与O2,Ar:O2的流量比为1:100至100:1下形成者。4.如申请专利范围第1项之方法,其中所述第一导电层系由一Pt层形成,而该铁电性层系由一SrBi2Ta2O9层形成者。5.如申请专利范围第1项之方法,更包括的步骤为:形成一TiN层于该Pt层上并蚀刻该TiN层以形成一TiN图案来界定一上部电极;以该TiN图案为一蚀刻光罩蚀刻该Pt层来形成该上部电极;及蚀刻该铁电性层与该第一导电层以形成一铁电性图案与一下部电压。6.如申请专利范围第5项之方法,更包括的步骤为:在O2大气下将TiN图案施以热处理;依序形成一帽盖氧化物层与第二中间绝缘层于整个基板上;蚀刻该第二中间绝缘层,该TiN图案及该帽盖氧化物层以形成第一接触孔曝露该上部电极,及蚀刻该第二中间绝缘层,该帽盖氧化物层及该第一中间绝缘层以形成第二接触孔曝露该电晶体的主动区;及形成一金属互连线经该第一与第二接触孔连接该电晶体的主动区与该电容器。图式简单说明:第一图为表示形成上部电极步骤的剖面图,系以多层结构形成上部电极用Pt层而蚀刻该Pt层;第二图为表示使用一光阻图案形成一铁电性图案与一下部电极步骤的剖面图;第三图为表示除去第二图的光阻图案步骤的剖面图;第四图为表示沈积一帽盖氧化物层与第二中间绝缘层于第三图结构上步骤的剖面图;第五图为表示以传统形成图案过程形成电容器与电晶体的接触孔步骤的剖面图;及第六图为表示形成连接电晶体与电容器用金属互连线与形成第三中间绝缘层于整个基板上的剖面图。 |
