| 主权项 |
1.一种堆叠式电容器的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一介电层;于该介电层上形成一终止层于该介电层与该终止层中形成一接触窗插塞;于该终止层上形成一已图案化之第一材料层,该第一材料层具有开口裸露出该接触窗插塞与部分该终止层之表面;于该基底上共形地形成一第一非晶矽层;于该第一非晶矽层上形成一第二材料层;将该第二材料层图案化;至少去除未被该图案化之第二材料层所覆盖之第一非晶矽层,以裸露出部分该第一材料层;于该基底上形成一第二非晶矽层;非等向性蚀刻该第二非晶矽层,以形成一非晶矽间隙壁;去除该第二材料层;去除该第一材料层,以裸露出该第一非晶矽层与该非晶矽间隙壁所架构之一下电极;于该下电极之表面形成一电容介电层;以及于该基底上形成一导体层以用以制作一上电极。2.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,在形成该电容介电层之前更包括于该下电极之表面形成一选择性半球状多晶粒。3.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该第二材料层对于该第一材料层具有不同的蚀刻率。4.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该第二材料层与该第一材料层具有相同之蚀刻率,但与该终止层具有不同的蚀刻率。5.如申请专利范围第4项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该第一材料层之材质包括氧化矽;该第二材料层之材质包括旋涂式玻璃。6.如申请专利范围第4项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该去除该第一材料层与该第二材料层之步骤系同时以一蚀刻制程执行。7.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该未被该图案化之该第二材料层所覆盖之该第一非晶矽层的去除方法包括等向性蚀刻制程。8.如申请专利范围第7项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该等向性蚀刻制程包括化学乾式蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该非等向性蚀刻该第二非晶矽层的方法包括反应性离子蚀刻法。10.一种堆叠式电容器的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一介电层;于该介电层上形成一蚀刻终止层于该介电层与该蚀刻终止层中形成一接触窗插塞;于该蚀刻终止层上形成一已图案化之氧化矽层,该氧化矽层具有开口,裸露出该接触窗插塞与部分该蚀刻终止层之表面;于该基底上共形地形成一第一非晶矽层;于该基底上形成一旋涂式玻璃层以覆盖该第一非晶矽层并填满该开口;将该旋涂式玻璃层图案化,裸露出部分该第一非晶矽层;以等向性蚀刻制程去除所暴露之该第一非晶矽层以及介于该旋涂式玻璃层与该氧化矽层之间之部分该第一非晶矽层;于该基底上形成一第二非晶矽层;非等向性蚀刻该第二非晶矽层,以形成一非晶矽间隙壁;去除该旋涂式玻璃层与该氧化矽层,以裸露出该第一非晶矽层与该非晶矽间隙壁;于该第一非晶矽层与该非晶矽间隙壁的表面上形成一选择性半球状多晶粒,以形成一下电极;于该下电极之表面形成一电容介电层;以及于该基底上形成一导体层以用以制作一上电极。11.如申请专利范围第10项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该旋涂式玻璃层、该氧化矽层与该蚀刻终止层具有不同的蚀刻率。12.如申请专利范围第10项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该等向性蚀刻制程去除所暴露之该第一非晶矽层以及介于该旋涂式玻璃层与该氧化矽层之间之部分该第一非晶矽层的方法包括化学乾式蚀刻法。13.如申请专利范围第10项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该非等向性蚀刻该第二非晶矽层的方法包括反应性离子蚀刻法。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示传统双边冠状结构堆叠式电容器之制造流程的结构剖面示意图;以及第二图A至第二图H系绘示依据本发明之一种双边双重冠状结构堆叠式电容器之制造流程的结构剖面示意图。 |
