| 主权项 |
1.一种自行对准金属矽化物的制程,包括:提供一基底;在该基底上形成一闸氧化层;在该闸氧化层上形成具有一第一型离子掺杂之一多晶矽层;在该掺杂之多晶矽层上形成一未掺杂之多晶矽层;在该未掺杂之多晶矽层上形成一抗反射光层;定义该抗反射光层、该未掺杂之多晶矽层与该掺杂之多晶矽层,以形成一闸极;于该闸极外之基底中形成一轻掺杂区;于该闸极之侧壁形成一间隙壁;于该间隙壁外之基底中,形成一浓掺杂区;去除该闸极之抗反射光层,暴露出其下层之该未掺杂多晶矽层;对暴露出之该未掺杂多晶矽层进行一第二型离子的植入步骤;以及在该源极、该汲极的表面与该闸极表面形成一自行对准金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制程,其中该第一型离子为N型离子,该第二型离子为P型离子。3.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制程,其中该未掺杂之多晶矽层的厚度约为1500至2500埃。4.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制程,其中该未掺杂之多晶矽层的厚度约为200至400埃。5.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制程,其中该抗反射光层之材质包括氮氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制程,其中该抗反射光层之材质包括氮化矽。7.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制程,其中该轻掺杂区为N型。8.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制程,其中该浓掺杂区为N型。9.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制程,其中去除该抗反射光层系采用磷酸进行湿蚀刻法来去除。10.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制程,其中该自行对准金属矽化物层包括矽化钛。11.一种形成金氧半电晶体的方法,包括:提供一基底,该基底已形成复数元件隔离结构,定义出一主动区;在该基底上依序形成一闸氧化层、一具有一第一型离子掺杂之多晶矽层、一未掺杂之多晶矽层与一抗反射光层;定义该抗反射光层、该未掺杂之多晶矽层与该掺杂之多晶矽层,以于该主动区之基底上形成一闸极;于该闸极外之基底中形成一轻掺杂区;于该闸极之侧壁形成一间隙壁;于该间隙壁外之基底中形成一浓掺杂区;去除该闸极之抗反射光层,暴露出其下层之该未掺杂多晶矽层;对暴露出之该未掺杂多晶矽层进行一第二型离子的离子植入步骤;以及在该源极、该汲极的表面与该闸极表面形成一自行对准金属矽化物层。12.如申请专利范围第11项所述之形成金氧半电晶体的方法,其中该第一型离子为N型离子,该第二型离子为P型离子。13.如申请专利范围第11项所述之形成金氧半电晶体的方法,其中该掺杂之多晶矽层的厚度约为1500至2500埃。14.如申请专利范围第11项所述之形成金氧半电晶体的方法,其中该未掺杂之多晶矽层的厚度约为200至400埃。15.如申请专利范围第11项所述之形成金氧半电晶体的方法,其中该抗反射光层之材质包括氮氧化矽。16.如申请专利范围第11项所述之形成金氧半电晶体的方法,其中该抗反射光层之材质包括氮化矽。17.如申请专利范围第11项所述之形成金氧半电晶体的方法,其中该轻掺杂区为N型。18.如申请专利范围第11项所述之形成金氧半电晶体的方法,其中该浓掺杂区为N型。19.如申请专利范围第11项所述之形成金氧半电晶体的方法,其中去除该抗反射光层系采用磷酸进行湿蚀刻法来去除。20.如申请专利范围第11项所述之形成金氧半电晶体的方法,其中该自行对准金属矽化物层包括矽化钛。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示本发明之一种自行对准金属矽化物的制程。 |
