形成半导体元件之闸电极的方法

摘要

本发明所揭示者为形成半导体元件之闸极的方法，该方法系藉化学气相沈积过程(CVD)而非藉物理气相沈积(PVD)过程将钨形成于氮化钨层上者;依照本发明形成闸电极的方法，用一矽层形成闸电极的导电层再形成一氮化钨层于矽层上，然后氮化钨层施以热处理藉此将氮化钨表面做成第一钨层;其次，藉使用第一钨层做为晶核层依照 CVD过程形成第二钨层;依照本发明的闸电极形成方法，钨可以藉CVD过程加以沈积而非藉PVD过程。由是，那些必伴随PVD过程引起的问题诸如冲洗设备与微粒来源等均可避免，藉此改善生产能力与良品率。

主权项

1.一种形成半导体元件之闸电极的方法,其包括的步骤为:形成一闸绝缘层于一半导体基板上,与一矽层于该闸绝缘层上;形成一氮化钨(WN)层于该矽层上;藉施热处理于该氮化钨层,形成第一钨层于该氮化物层之上部部位与氮化矽钨(WSiN)层于该WN层的下部部位;及依照化学气相沈积(CVD)过程,藉用该第一钨层为晶核层,形成第二钨层于该第一钨层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中所述矽层为一渗杂聚矽层或一掺杂无定形矽层,其厚度为500-1500。3.如申请专利范围第1项之方法,其中所述WN层系依照化学气相沈积(CVD)过程或物理气相沈积(PVD)过程形成,其厚度为50-300。4.如申请专利范围第1项之方法,其中所述WSiN层系藉火炉施以热处理,或藉惰性气体大气下施以快速加热过程,温度在600-1000℃下。5.如申请专利范围第1项之方法,其中所述第二钨层形成的厚度为500-1000。6.如申请专利范围第1项之方法,其中所述WN层含有氮化物5-20%(原子比)。图式简单说明:第一图至第四图为本发明一实施例之剖面图,说明如何形成闸电极之方法。