对准标记之形成及覆盖其之结构

摘要

当形成一铝(Al)线层l10并填满凹洞108时，对准标记 AM会显露于Al线层l10之表面上，其中凹洞108系经由蚀刻形成于矽基底102表面上之部分氧化层104与106而形成。凹洞108之深度被控制在使得Al线层l10与矽基底102之金属矽间不会有相互接触的情形。因此，在形成上述对准标记之制程中，可防止Al线层l10与金属矽发生化学反应。所以，将不会有氧化膜104与106之品质恶化及显露于Al线层l10表面上之对准标记AM造成损坏的情形发生，并且Al线层l10系在一高温中经由喷出铝于氧化层与凹洞上而形成。

主权项

1.一种对准标记的形成方法,适用于制造一矽半导体装置之制程上,包括下列步骤:形成一氧化膜覆盖一矽基底表面;蚀刻该氧化膜之一预定部分,以形成一底部凹洞,该底部凹洞具有一深度,该深度小于该氧化膜之厚度;以及形成一铝层覆盖该氧化膜并填满该底部凹洞;其中该铝层之表面上显露出有一标记,该标记用做为一对准标记,且该标记之位置对应于该底部凹洞之位置。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化膜包括一第一氧化膜覆盖于该矽基底表面上,以及一第二氧化膜覆盖于该第一氧化膜上,该底部凹洞系经由蚀刻部分该第二氧化膜而形成。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第二氧化膜具有一多氧化层结构。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该铝层系在一高温中经由喷出铝于该氧化膜层上而形成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该底部凹洞的方法,包括使用氟气当作一蚀刻剂。6.一种对准标记的形成方法,适用于制造一矽半导体装置之制程上,包括下列步骤:形成一第一氧化膜覆盖一矽基底表面;形成一下铝层覆盖该第一氧化膜;形成一第二氧化膜覆盖该下铝层;蚀刻该第二氧化膜之一预定部分,以形成一底部凹洞;以及形成一上铝层覆盖该第二氧化膜并填满该底部凹洞;其中该上铝层之表面上显露出有一标记,该标记用做为一对准标记,且该标记之位置对应于该底部凹洞之位置。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第二氧化膜具有一多氧化层结构。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该铝层系在一高温中经由喷出铝于该氧化膜层上而形成。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中形成该底部凹洞的方法,包括使用氟气当作一蚀刻剂。10.一种对准标记,包括:一矽基底;一氧化膜,覆盖于该矽基底表面上;一底部凹洞,系经由蚀刻该氧化膜之一预定部分而形成,该底部凹洞具有一深度,该深度小于该氧化膜之厚度;以及一铝层,覆盖于该氧化膜上,并填满该底部凹洞;其中用做为该对准标记之一凹洞显露于该铝层之表面上,且该凹洞之位置对应于该底部凹洞之位置。11.如申请专利范围第10项所述之对准标记,其中该氧化膜包括一第一氧化膜覆盖于该矽基底表面上,以及一第二氧化膜覆盖于该第一氧化膜上,该底部凹洞系经由蚀刻部分该第二氧化膜而形成。12.如申请专利范围第11项所述之对准标记,其中该第二氧化膜具有一多氧化层结构。13.如申请专利范围第10项所述之对准标记,其中该铝层系在一高温中经由喷出铝于该氧化膜层上而形成。14.如申请专利范围第10项所述之对准标记,其中形成该底部凹洞的方法,包括使用氟气当作一蚀刻剂。15.一种对准标记,包括:一矽基底;一第一氧化膜,覆盖于该矽基底表面上;一下铝层,覆盖于该第一氧化膜上;一第二氧化膜,覆盖于该下铝层上;一底部凹洞,系经由蚀刻该第二氧化膜之一预定部分而形成;以及一上铝层,覆盖于该第二氧化膜上,并填满该底部凹洞;其中用做为该对准标记之一凹洞显露于该上铝层之表面上,且该凹洞之位置对应于该底部凹洞之位置。16.如申请专利范围第15项所述之对准标记,其中该第二氧化膜具有一多氧化层结构。17.如申请专利范围第15项所述之对准标记,其中该铝层系在一高温中经由喷出铝于该氧化膜层上而形成。18.如申请专利范围第15项所述之对准标记,其中形成该底部凹洞的方法,包括使用氟气当作一蚀刻剂。19.一种覆盖一对准标记之结构的形成方法,包括下列步骤:形成一第一氧化膜覆盖一矽基底表面;蚀刻该第一氧化膜之一预定部分,以形成一底部凹洞;形成一第二氧化膜覆盖该第一氧化膜,并填满该底部凹洞;以及形成一铝层覆盖该第二氧化膜。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该第二氧化膜具有一多氧化层结构。21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该铝层系在一高温中经由喷出铝于该氧化膜层上而形成。22.如申请专利范围第19项所述之方法,其中形成该底部凹洞的方法,包括使用氟气当作一蚀刻剂。23.一种覆盖一对准标记之结构,包括:一矽基底;一第一氧化膜,覆盖于该矽基底表面上;一底部凹洞,系经由蚀刻该第一氧化膜之一预定部分而形成;一第二氧化膜,覆盖于该第一氧化膜上,并填满该底部凹洞;以及一铝层,覆盖于该第二氧化膜上。24.如申请专利范围第23项所述之结构,其中该第二氧化膜具有一多氧化层结构。25.如申请专利范围第23项所述之结构,其中该铝层系在一高温中经由喷出铝于该氧化膜层上而形成。26.如申请专利范围第23项所述之结构,其中形成该底部凹洞的方法,包括使用氟气当作一蚀刻剂。图式简单说明:第一图绘示的是依照本发明第一较佳实施例的一种对准标记之结构的纵向剖面图;第二图绘示的是依照本发明第二较佳实施例的一种对准标记之结构的纵向剖面图;第三图绘示的是依照本发明第三较佳实施例之覆盖有底部凹洞之矽基底的纵向剖面图;第四图绘示的是习知一种对准标记的制造过程图;第五图绘示的是习知一种对准标记的制造过程图;以及第六图绘示的是经由Al-Si化学反应后造成一毁坏对准的状态图。