| 主权项 |
1.一种具有一导电型式之垂直可逆转通道之渠道形功率金氧半导体场效电晶体,该通道配置在源极区域及吸极区域之间,及其上之一闸极氧化物及闸极接点,沿着该可逆转通道之长度方向延伸,以逆转该可逆转通道之导电型式,该垂直可逆转通道在其长度方向具有均匀的浓度。2.如申请专利范围第1项之功率金氧半导体场效电晶体,其中该导电型式之一为N型。3.如申请专利范围第1项之功率金氧半导体场效电晶体,其中可逆转通道为以磊晶方式形成的矽。4.一种功率金氧半导体场效电晶体包含下列各项之结合,具有一导电型式的基体;沉积在该基体上方,具有另一导电型式之磊晶沉积层且大致具有一固定的浓度;多个空间配置的渠道,其具有延伸过该磊晶层的垂直壁;在其垂直壁上的薄闸极氧化物及沉积入该渠道中的导电多晶矽以形成一多晶矽闸极;具有该导电形式的源极区域,位在与各该渠道之壁面相邻处;连接至少一该源极区域的源极接点;以及连接该基体区域的汲极接点,因此该金氧半导体场效电晶体的电阻将下降。5.如申请专利范围第4项之功率金氧半导体场效电晶体,其中该源极接点只连接该源极区域,在此该金氧半导体场效电晶体为双向者。6.如申请专利范围第4项之功率金氧半导体场效电晶体,其中该源极区域连接该磊晶沉积层。7.如申请专利范围第4项之功率金氧半导体场效电晶体,其中该一导电型式为P型。8.如申请专利范围第7项之功率金氧半导体场效电晶体,其中该磊晶区域的电阻率约0.7欧姆公分,且厚度约2.5m。9.一种具降低电阻之功率金氧半导体场效电晶体包括下列的结合:一P型导电型式的基体;沉积在该P型导电型式的基体上方具有另一N型导电型式之一磊晶沉积层且大致具有一固定的浓度;多个空间配置的渠道,其具有延伸过该磊晶层的垂直壁;在其垂直壁上的一薄闸极氧化物及沉积入该渠道中的导电多晶矽以形成一多晶矽闸极;一P型导电型式的源极区域,其位在与各该渠道之壁面相邻处;连接至少一该源极区域的源极接点;以及连接该基体区域的汲极接点。10.如申请专利范围第9项之功率金氧半导体场效电晶体,其中该源极接点连接该磊晶沉积层。11.如申请专利范围第9项之功率金氧半导体场效电晶体,其中该磊晶区域电阻率约为0.17欧姆公分,且厚度约为2.5m。12.如申请专利范围第9项之功率金氧半导体场效电晶体,其中该基体系为电阻率约小于0.005欧姆公分之P+基底。13.如申请专利范围第10项之功率金氧半导体场效电晶体,其中该基体系为电阻率约小于0.005欧姆公分之P+基底。14.如申请专利范围第11项之功率金氧半导体场效电晶体,其中该基体系为电阻率约小于0.005欧姆公分之P+基底。图式简单说明:第一图为习知型式之渠道型P通道金氧半导体场效电晶体的单晶胞之接点图样的截面图。第二图为与第一图类似的截面图,但是其中显示本发明之接点图样及型式。第三图示以第一图及第二图之两金氧半导体场效电晶体的电路图,连接该金氧半导体场效电晶体以形成双向导电装置。第四图为与第二图位在之截面图,由显示以修改的接点图样,由此形成一双向金氧半导体场效电晶体。第五图为第四图之双向场效电晶体的电路图。第六图为用于制造第二图之装置之矽基体部份的上视图。第七图,第八图,第九图及第十图显示在进行多个处理步骤之后,沿第六图之线7-7所视之第六图中矽的截面部份的外观。 |
