| 主权项 |
1.一种形成积体电路中之电晶体的方法至少包含:提供一底材;形成一隔绝层于该底材上;形成一导体层于该隔绝层上;形成一图案化光阻层于该导体层上;以该图案化光阻层作为罩幕,将该导体层蚀刻,蚀刻过的该导体层具有一侧壁;去除该图案化光阻层;形成一衬垫层于该导体层之该侧壁上;将第一离子掺入该底材以形成一轻掺杂区域于该底材中,系以该衬垫层及蚀刻过的该导体层为罩幕而进行掺杂;形成一间隙壁于该衬垫层上;将第二离子掺入该轻掺杂区域中以形成一源/汲区域,系以该间隙壁、该衬垫层及蚀刻过的该导体层为罩幕;去除该间隙壁;形成一磊晶矽层于该轻掺杂区域上、该源/汲极区域上及该导体层顶面上;及将该磊晶矽层施以自行对准矽化处理以形成一自行对准矽化物层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之底材至少包含矽。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之隔绝层至少包含闸氧化层。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之闸氧化层系以热氧化法形成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导体层至少包含下列之一:多晶矽、金属矽化物及金属。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导体层矽以沉积法形成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之衬垫层系以沉积法及回蚀法形成。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之衬垫层至少包含氮化矽。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之衬垫层具有约100至300埃的厚度。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之轻掺杂区域系以离子植入法形成。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之间隙壁系以沉积法及回蚀法形成。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之间隙壁至少包含氧化物。13.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之源/汲极区域系以离子植入法形成。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之间隙壁的去除系以剥除法(striping)来完成。15.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之间隙壁的去除系以蚀刻法来完成。16.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之磊晶矽层至少包含选择性磊晶矽。17.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之磊晶矽层系以沉积法形成。18.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之磊晶矽层具有约300至1000埃的厚度。19.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之自行对准矽化处理至少包含:沉积一金属于该磊晶矽层上;及以热制程将该金属扩散入该磊晶矽层内。20.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之金属至少包含下列之一:钛(Ti)、钴(Co)。图式简单说明:第一图至第五图系表示以传统方法制作一电晶体的各步骤截面图。第六图系表示于传统电晶体内的串连电阻之各部。第七图至第十三图系表示以本发明制作一电晶体的各步骤截面图。第十四图系表示以本发明所制成之电晶体内的串连电阻中几乎无「额外电阻Rext」的存在。 |
