发明名称 中置元件之中空电感
摘要 本发明提供一种中置元件之中空电感,包括一基底、一导电层及一接合垫。导电层系设置于该基底上,并形成一连续之螺旋线且该螺旋线中心处留有一空置区。接合垫则设置于该空置区内且与该导电层所形成之螺旋线近中心之一端电性连接。其中该接合垫亦可以一电容器替代。
申请公布号 TW434591 申请公布日期 2001.05.16
申请号 TW088123119 申请日期 1999.12.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 马思平;何彦仕
分类号 H01F17/02 主分类号 H01F17/02
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种中置元件之中空电感,包括:一基底;一导电层,设置于该基底上,形成一连续之螺旋线且该螺旋线中心处留有一空置区;一接合垫,设置于该空置区内且与该导电层所形成之螺旋线近中心之一端电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之中空电感,其中该接合垫系被切割成复数区块,每一区块均与该螺旋线近中心之一端电性连接。3.一种中置元件之中空电感,包括:一基底;一导电层,设置于该基底上,形成一连续之螺旋线且该螺旋线中心处留有一空置区;一电容器,设置于该空置区内且与该导电层所形成之螺旋线近中心之一端电性连接。4.如申请专利范围第3项所述之中空电感,其中该电容器系被切割成复数区块,每一区块均与该螺旋线近中心之一端电性连接。5.如申请专利范围第3项所述之中空电感,其中该电容器系一MIM电容。6.如申请专利范围第3项所述之中空电感,其中该基底系为一矽基底。7.如申请专利范围第3项所述之中空电感,其中该基底系为一砷化镓基底。图式简单说明:第一图系一习知技术中之中空电感结构;第二图A及第二图B系本发明两实施例之中空电感结构;第三图显示第二图之实施例与第一图习技术之中空电感结构进行EM simulation之结果。
地址 新竹科学工业园区园区三路一二一号