| 主权项 |
1.一种半导体记忆装置,包括:一个参考电压控制与产生单元,用于接收外部供给电压与控制信号与控制信号、产生一参考电压以及依据控制信号之电压位准而改变参考电压位准;一个内部供给参考电压产生单元,用于回应参考电压而产生用于内部电源供给之参考电压;以及一个内部供给电压产生单元,用于回应内部电源供给之参考电压而产生内部供给电压。2.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该参考电压可以改变为至少二位准。3.如申请专利范围第2项之半导体记忆装置,其中该参考电压于控制信号为逻辑高位准时产生为预定电压,而当控制信号为逻辑低位准时产生为较预定电压为低之电压。4.如申请专利范围第3项之半导体记忆装置,其中该控制信号在正常操作时变为逻辑高位准,而在低供给电压边际测试时变为逻辑低位准。5.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中内部电源供给之参考电压高于参考电压。图式简单说明:第一图为显现用于传统半导体记忆装置之低供给电压边际测试例子的图形;第二图为显现用于传统半导体记忆装置之另一低供给电压边际测试例子的图形;第三图为如本发明之半导体记忆装置之内部电源供给电路的方块图;第四图为显现第三图中所示外部与内部供给电压波形之图形;第五图为第三图中参考电压控制与产生单元之电路图;第六图为第三图中内部供给参考电压产生单元之电路图;第七图为第三图中内部供给电压产生单元之电路图。 |
