| 主权项 |
1.一种旋转型可变电阻器,具备有:由合成树脂所成之基板,及埋设于该基板,由上述基板之侧面部导出之金属所成之第1端子,及形成于上述基板之表面之圆环状之集电体,及形成于上述基板之表面之电阻体,及滑动于该电阻体及上述集电体之滑动子,在上述第1端子乃,在于上述圆环状之集电体之宽度之范围内地设置露出于上述基板之露出部,而以该露出部来连接于上述集电体,为其特征者。2.如申请专利范围第1项所述之旋转型可变电阻器,其中上述滑动子之对于上述集电体之滑动乃,以上述第1端子之扣除了上述露出部之范围内来实施者。3.如申请专利范围第1项所述之旋转型可变电阻器,其中,上述集电体之外周侧圆环状地形成上述电阻体,同时将上述电阻体之两端部互相近接的予以配设,又在于上述基板之表面即以沿着上述电阻体之外形状地弯曲状形成有该含有银等之引出部,而将上述引出部之端部连接于上述电阻体之端部者。4.如申请专利范围第2项所述之旋转型可变电阻器,其中挟着设于上述基板之孔地,将上述第1端子之上述第1端子之上述露出部形成于,与上述电阻体之端子之相反之位置,同时在上述基板上埋设第2端子,在该第2端子设置露出于上述基板之表面之露出部,而以该露出部来连接于上述引出部者。图式简单说明:第一图系本发明之旋转型可变电阻器之正面图。第二图系本发明之旋转型可变电阻器之侧面图。第三图系第一图之3-3线之断面图。第四图系有关本发明之旋转型可变电阻器之基板平面图。第五图系表示本发明之旋转型可变电阻器之制造方法说明图。第六图系表示本发明之旋转型可变电阻器之制造方法说明图。第七图系先前技术之旋转型电阻器之分解斜视图。第八图系先前技术之旋转型电阻器之基板之平面图。 |
