| 主权项 |
1.一种层积型半导体陶瓷电子元件,包含:多个交替出现之钛酸钡半导体陶瓷层以及内部电极层;以及电气上连接至该内部电极层之外部电极层;其中,该半导体陶瓷层包含,平均粒子大小大约是1微米或更小之陶瓷粒子,以及在垂直于该半导体层方向上之每层平均陶瓷粒子数大约是10或更多。2.如申请专利范围第1项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中该内部电极层包含镍。3.如申请专利范围第2项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中该陶瓷粒子具有0.8至1微米之平均粒子大小。4.如申请专利范围第3项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中在垂直于该半导体层方向上之每层平均陶瓷粒子数是10至40。5.如申请专利范围第4项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中碳酸钡/氧化钡的比例大约是0.42或更小,晶格常数大约是0.4020或更大,钡/钛比例的范围大约是从0.990至1.000,以及碳酸钡比氧化钡的相对强度比例,大约是0.50或更小。6.如申请专利范围第1项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中该陶瓷粒子具有0.8至1微米之平均粒子大小。7.如申请专利范围第6项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中在垂直于该半导体层方向上之每层平均陶瓷粒子数是10至40。8.如申请专利范围第1项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中在垂直于该半导体层方向上之每层平均陶瓷粒子数是10至40。9.如申请专利范围第1项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中碳酸钡/氧化钡的比例大约是0.42或更小,晶格常数大约是0.4020或更大,钡/钛比例的范围大约是从0.990至1.000,以及碳酸钡比氧化钡的相对强度比例,大约是0.50或更小。10.如申请专利范围第1项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中该钛酸钡中之钡,部份地为钙,锶或铅所取代。11.如申请专利范围第1项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中该钛酸钡中之钛,部份地为锡或锆所取代。12.如申请专利范围第1项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中该钛酸钡是被掺杂的。13.如申请专利范围第12项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中该钛酸钡被掺以镧。14.如申请专利范围第13项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中该内部电极层包含镍。15.如申请专利范围第14项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中该陶瓷粒子具有0.8至1微米之平均粒子大小。16.如申请专利范围第15项之层积型半导体陶瓷电子元件,其中在垂直于该半导体层方向上之每层平均陶瓷粒子数是10至40。图式简单说明:第一图是本发明之层积型半导体陶瓷电子元件的断面图。 |
