| 主权项 |
1.一种对流出物中之轻烯烃具选择性之裂解富含烯烃之烃原料的方法,此方法包括使烃原料与结晶矽酸盐催化剂接触,此烃原料包含具有一或多种烯烃成份之第一组成物之烯烃,而制造具有一或多种烯烃成份之第二组成物之流出物,在原料及流出物中实质上具有与原料相同的烯烃重量含量。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该催化剂包括矽质碳类。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该催化剂具有至少180之矽/铝原子比。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该原料包括轻裂解石油脑。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该原料包括来自精炼厂中之流体化床催化裂解单元之C4类型产物,或来自精炼厂内用于制造甲基第三丁基醚之单元的C4类型产物,或来自蒸气裂解单元之C4类型产物。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该原料包括来自蒸气裂解器或轻裂解石油脑之C5类型产物。7.如申请专利范围第4项之方法,其中存在于流出物中之至少90%之C2至C3化合物系以C2至C3烯烃存在。8.如申请专利范围第5项之方法,其中存在于流出物中之至少95%之C2至C3化合物系以C2至C3烯烃存在。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该催化裂解以原料之烯烃含量计,具有自30至50%之以烯烃计的丙烯产率。10.如申请专利范围第1项之方法,其中原料及流出物之烯烃重量含量系在彼此的15%内。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该原料在自500至600℃之入口温度下与催化剂接触。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该入口温度系自540至580℃。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该原料在自0.1至2巴之烯烃分压下与催化剂接触。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该烯烃分压系约大气压力。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该原料系在自10至30小时-1之LHSV下通过催化剂之上。16.如申请专利范围第1项之方法,其中在该原料中具有0.1重量百分比之最大二烯浓度。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该二烯在裂解步骤之前经由选择性氢化而自原料移除。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该二烯氢化方法系在自20至30巴之绝对压力及自40至200℃之入口温度下进行。19.如申请专利范围第18项之方法,其中在二烯氢化方法中之原料之LHSV系自2至5小时-1。20.一种裂解在包含一或多种二烯及一或多种烯烃之烃原料中之烯烃之方法,此方法包括在过渡金属基氢化催化剂之存在下,在自40至200℃之入口温度及自5至50巴之绝对压力下,以至少约1之氢/二烯莫耳比,将一或多种二烯氢化形成一或多种烯烃,及在结晶矽酸盐催化剂之存在下,在自500至600℃之入口温度及自0.1至2巴之烯烃分压下将烯烃催化裂解,而产生与原料中之一或多种烯烃在平均碳数方面具有不同烯烃分布的一或多种烯烃。21.一程自轻裂解石油脑制造C2至C3烯烃之方法,此方法包括使轻裂解石油脑与具有至少180之矽/铝原子比之矽质碳类类型催化剂接触,以经由选择性裂解,而制造其中至少90%之C2至C3化合物以C2至C3烯烃存在之烯烃流出物。22.一种自C4烯烃原料制造C2及/或C3烯烃之方法,此方法包括使C4烯烃原料与具有至少180之矽/铝原子比之矽质碳类类型催化剂接触,以经由选择性裂解,而制造其中至少95%之C2及/或C3化合物以C2及/或C3烯烃存在之烯烃流出物。23.一种自C5烯烃原料制造C2至C3烯烃之方法,此方法包括使C5烯烃原料与具有至少180之矽/铝原子比之矽质碳类类型催化剂接触,以经由选择性裂解,而制造其中至少95%之C2至C3化合物以C2至C3烯烃存在之烯烃流出物。24.如申请专利范围第21至23项中任一项之方法,其中经由在蒸气中加热催化剂,及经由以铝之错合剂处理催化剂将催化剂脱铝,使该催化剂进行前处理,而提高其矽/铝原子比。25.一种将烯烃催化裂解成较轻烯烃之方法,此方法包括使包含轻裂解石油脑之第一烃物流及包含C4烯烃之第二烃物流与结晶矽酸盐催化剂在自500至600℃之温度及自0.5至2巴之绝对压力下接触,以产生富含较轻烯烃之流出物流。图式简单说明:第一图及第二图分别系显示根据本发明之实施例及根据比较实施例之在各种产物,包括丙烯之产率,与催化裂解程序之时间之间的关系图;第三图至第六图显示对于使用不同的加工步骤及不同黏合剂制得之催化剂之在尤其系丙烯之产率,与时间之间的关系;第七图及第八图显示对于在催化裂解之前已进行及未进行初步二烯氢化步骤之原料之在尤其系丙烯之产率,与时间之间的关系;及第九图显示在本发明之选择性催化裂解方法中,在烯烃原料转化率、丙烯产率、及其他成份之总和之量与矽/铝原子比之间的关系。 |
