| 主权项 |
1.一种制程,其用以将第一抛光垫及第二抛光垫接 合在一起形成一较大之抛光垫,其配合一机器执行 矽晶片之化学机器抛光,该制程包括: 将第一抛光垫置放在一表面上; 将第二抛光装置放在该表面上,因此第二抛光垫一 部位与第一抛光垫一部位重叠产生一重叠区域; 切割重叠区域中第一及第二抛光垫在第一抛光垫 上形成第一切割边缘,在第二抛光垫上形成第二切 割边缘,该第一及第二切割边缘之轮廓系互补的; 将第一及第二切割边缘置于衔接位置;与 在第一及第二切割边缘处将第一抛光垫接合至第 二抛光垫。2.根据申请专利范围第1项之制程,其中 该切割步骤利用一切割工具在切割过程中相对于 该表面保持在固定之倾斜角度,因此在整个切割长 度上第一及第二切割边缘具有固定之角度。3.根 据申请专利范围第2项之制程,其中该切割步骤之 切割倾斜角度为一锐角,第一切割方向与第二方向 相反,于机器抛光过程中抛光流体以第二方向在抛 光垫表面上移动,因此第一及第二切割边缘自第二 方向倾斜远离以防止抛光流体在第一及第二切割 边缘之间通过。4.根据申请专利范围第2项之制程, 其中该相对于表面之倾斜角介于45及60度之间。5. 根据申请专利范围第1项之制程,其步骤另包括在 该表面上压按第一及第二抛光垫一段时间,因此第 一抛光垫第一切割边缘与互补之第二垫光垫第二 切割边缘在无施加任何接合材料之情况下接合,因 此抛光垫可接合在一起。6.根据申请专利范围第5 项之制程,其中该压按步骤所施加之作用力至少约 1500dN,其作用时间至少约1小时。7.根据申请专利范 围第1项之制程,其中该制程须至少执行乙次以形 成一抛光垫,其覆盖者双面抛光机器之底面,该制 程须重复至少乙次以形成一抛光垫,其覆盖者机器 之顶面,因此可提供配合机器双面之抛光垫。8.根 据申请专利范围第1项之制程,其中该置放第一抛 光垫之步骤包含将第一抛光垫附接至该表面,置放 第二抛光垫之步骤包含将第二抛光垫附接至与第 一抛光垫邻接之表面。9.一种复合抛光垫,其用以 覆盖着一机器之圆盘,该机器执行矽晶片之化学机 器抛光,该复合抛光垫由至少两相邻之抛光垫形成 且包括: 一第一抛光垫,其由抛光材料制成且呈平坦状,其 具有至少一倾斜边缘,该倾斜边缘之倾斜角度沿着 全部长度保持不变;与 一第二抛光垫,其由抛光材料制成且呈平坦状,其 具有至少一倾斜边缘,该倾斜边缘之倾斜角度沿着 全部长度保持不变并与第一抛光垫之倾斜边缘角 度互补; 该倾斜边缘在接缝处以面对面方式接合在一起,复 合抛光垫之表面系连续伸展经过该接缝。10.根据 申请专利范围第9项之抛光垫,其中该倾斜边缘接 合在一起且接缝处未施加任何接合材料。11.根据 申请专利范围第9项之抛光垫,其中该倾斜边缘相 互对齐。12.根据申请专利范围第9项之抛光垫,其 中该第一及第二抛光垫为环状半圆形,其中该复合 抛光垫为环状圆形,该接缝位于圆形之直径处。13. 根据申请专利范围第9项之抛光垫,其中该一及第 二抛光垫由聚亚胺酯及多元酯制成。图式简单说 明: 第一图为本发明复合抛光垫之平面视图,其覆盖一 机器之圆盘,该机器执行矽晶之化学机械抛光; 第二图为半圆形之部份第一抛光垫之平面视,其以 本发明制程与第二抛光垫接合;与 第三图为第一及第二抛光垫重叠切割部位之剖视 图。 |
