| 主权项 |
1.一种如式(1)之外消旋性化合物, 式中m为3至12之整数;n为3至8之整数;X1和X2各同为一 氢原子,或一为氢原子而另一为氟原子;而X1和X2各 同为一氢原子,或一为氢原子而另一为氟原子。2. 如申请专利范围第1项之外消旋性化合物,其中如 式(1)之外消旋性化合物中,其m为3至10之整数。3.如 申请专利范围第1或2项之外消旋性化合物,其中如 式(1)之外消旋性化合物中,X1,X2和Y1各同为一氢原 子,而Y2为一氟原子。4.一种抗铁电液晶组成物,主 要含有一种如式(1)之外消旋性化合物, 式中m为3至12之整数;n为3至8之整数;X1和X2各同为一 氢原子,或一为氢原子而另一为氟原子;而Y1和Y2各 同为一氢原子,或一为氢原子而另一为氟原子, 和一种如下式(2)之抗铁电液晶化合物, 式中R为一种线型烷基而具6至12个碳原子,Z为一氢 原子或一氟原子,A为-CH3或-CF3,且r为0或1,若A为-CH3,r 为0且p为4至10之整数;若A为-CF3且r为0,p为6至8之整 数;又若A为-CF3且r为1,s为5至8之整数,p为2或4之整数 且C*为一不对称之碳原子,其中组成物含有一种如 式(1)之外消旋性化合物和如式(2)之抗铁电液晶化 合物,其比例以莫耳比计为自1:99至60:40。5.如申请 专利范围第4项之抗铁电液晶组成物,其中组成物 含有如式(1)之化合物,其中之m为9。6.如申请专利 范围第4或5项之抗铁电液晶组成物,其中组成物含 有如式(1)之化合物,式中X1,X2和Y1各同为一氢原子 而Y2为一氟原子。7.如申请专利范围第4项之抗铁 电液晶组成物,其中组成物含有如式(2)之化合物, 式中A为-CF3,r为1,s为5至8之整数且p为2或4。8.如申 请专利范围第4项之抗铁电液晶组成物,其中组成 物含有如式(2)之化合物,式中A为-CF3,r为0而p为4至6 之整数。9.如申请专利范围第4项之抗铁电液晶组 成物,其中至少有一层向性(Smectic)A相存在于比抗 铁电相为高之温度侧,且抗铁电相具有至少为40℃ 之上限温度和0℃或更低之下限温度。10.如申请专 利范围第4项之抗铁电液晶组成物,其中至少二化 合物选自式(2)之抗铁电液晶化合物,以掺合物而被 使用。11.如申请专利范围第4项之抗铁电液晶组成 物,其系藉由插夹该抗铁电液晶组成物于电极基材 对之间,以形成而形成抗铁电液晶显示装置。图式 简单说明: 第一图表示一种抗铁电液晶装置的均等电路( Equivalent circuit)。 第二图表示当无对准层存在时,在界限陡峭度上的 模拟结果。 第三图表示当有对准层存在时,在界限陡峭度上的 模拟结果。 第四图表示比较例1和2的光学回应,其中迟滞现象 用箭头表示于比较例2中之光学回应,并于比较例1 中之光学回应以无箭头之迟滞现象表示。 第五图表示在比较例1和实施例8中的光学回应,其 中迟滞现象用箭头表示实施例8中之光学回应,并 于比较例1中之光学回应之迟滞现象以无箭头表示 。 |
