| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,其特征是包括以下 制造步骤: 准备:形成有半导体元件与复数个外部端子的主面 ,及具有分别对向于上述主面的背面的第1及第2半 导体晶片之步骤; 准备:藉由第1堵住杆而相互连结的复数个外导线 部,及包含自上述外导线部延伸的内导线部的第1 导线架,及藉由第2堵住杆而相互连结的复数个外 导线部,该第2堵住杆具有延伸于宽度方向的宽广 部,及包含自上述外导线部延伸的内导线部的第2 导线架之步骤; 将上述第1导线架的内导线部固定于上述第1半导 体晶片的主面,电气性地连接上述第1半导体晶片 的外部端子与上述第1导线架的内导线部,将上述 第2导线架的内导线部固定于上述第2半导体晶片 的主面,电气性地连接上述第2半导体晶片的外部 端子与上述第2导线架的内导线部之步骤; 以上述第1半导体晶片的背面与上述第2半导体晶 片的背面能够互相形成对向之方式来使上述第1导 线架与第2导线架重叠,并且在此状态下来对上述 第1半导体晶片与上述第2半导体晶片进行树脂封 装,而形成树脂封装体之步骤; 切断露出于上述树脂封装体的外部的上述第1堵住 杆与上述第2堵住杆之步骤。2.如申请专利范围第1 项之半导体装置的制造方法,其中在准备上述第1 及第2导线架的步骤中,是使用上述第2堵住杆的宽 度比上述第1堵住杆的宽度还要窄者。3.如申请专 利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中在准 备上述第1及第2导线架的步骤中,是使用上述第2导 线架的外导线部终端于上述第2堵住杆者。4.如申 请专利范围第3项之半导体装置的制造方法,其中 在切断上述第1及第2堵住杆的步骤中,将上述第1导 线架的外导线部折弯于上述第2导线架的位置方向 。5.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方 法,其中上述第2堵住杆的宽广部是使用形成于上 述第2堵住杆的一侧面者。6.如申请专利范围第1项 之半导体装置的制造方法,其中上述第2堵住杆的 宽广部是使用形成于上述第2堵住杆的两侧面者。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中在将上述第1及第2导线架的内导线部固定于 上述第1及第2半导体晶片的主面之步骤中,上述第1 导线架的内导线部与上述第1半导体晶片的主面之 间及上述第2导线架的内导线部与上述第2半导体 晶片的主面之间是分别经由绝缘膜而固定。8.如 申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其 中在准备上述第1及第2半导体晶片的步骤中,上述 第1及第2半导体晶片是使用同一尺寸,且同一电路 构成者。9.如申请专利范围第1项之半导体装置的 制造方法,其中更包括:在形成上述树脂封装体的 步骤之后,利用焊接来接合上述第1导线架与上述 第2导线架之步骤。10.如申请专利范围第1项之半 导体装置的制造方法,其中更包括:在形成上述树 脂封装体的步骤之后,上述第1导线架与上述第2导 线架是在上述第2导线架的终端部利用焊接来予以 接合之步骤。11.如申请专利范围第9项之半导体装 置的制造方法,其中上述焊接是由上述第1及第2导 线架的一方的上方照射雷射光来进行。12.如申请 专利范围第11项之半导体装置的制造方法,其中上 述雷射光的照射范围要比上述第1及第2导线架之 各接合部的导线宽度来得小。13.一种半导体装置 的制造方法,其特征是包括以下制造步骤: 准备:形成有半导体元件与复数个外部端子的主面 ,及具有分别对向于上述主面的背面的第1及第2半 导体晶片之步骤; 准备:藉由第1堵住杆而相互连结的复数个外导线 部,及包含自上述外导线部延伸的内导线部的第1 导线架,及藉由第2堵住杆而相互连结的复数个外 导线部,及包含自上述外导线部延伸的内导线部的 第2导线架之步骤; 将上述第1导线架的内导线部固定于上述第1半导 体晶片的主面,电气性地连接上述第1半导体晶片 的外部端子与上述第1导线架的内导线部,将上述 第2导线架的内导线部固定于上述第2半导体晶片 的主面,电气性地连接上述第2半导体晶片的外部 端子与上述第2导线架的内导线部之步骤; 在使上述第1导线架与第2导线架重叠的状态下来 对上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片进行 树脂封装,而形成树脂封装体之步骤; 利用焊接来接合上述第1导线架与上述第2导线架 之步骤。14.如申请专利范围第13项之半导体装置 的制造方法,其中在准备上述第1及第2导线架的步 骤中,是使用上述第2堵住杆的宽度比上述第1堵住 杆的宽度还要窄者。15.如申请专利范围第13项之 半导体装置的制造方法,其中在准备上述第1及第2 导线架的步骤中,是使用上述第2导线架的外导线 部终端于上述第2堵住杆者。16.如申请专利范围第 3项之半导体装置的制造方法,其中在切断上述第1 及第2堵住杆的步骤中,将上述第1导线架的外导线 部折弯于上述第2导线架的位置方向。17.如申请专 利范围第13项之半导体装置的制造方法,其中在将 上述第1及第2导线架的内导线部固定于上述第1及 第2半导体晶片的主面之步骤中,上述第1导线架的 内导线部与上述第1半导体晶片的主面之间及上述 第2导线架的内导线部与上述第2半导体晶片的主 面之间是分别经由绝缘膜而固定。18.如申请专利 范围第13项之半导体装置的制造方法,其中在准备 上述第1及第2半导体晶片的步骤中,上述第1及第2 半导体晶片是使用同一尺寸,且同一电路构成者。 19.如申请专利范围第15项之半导体装置的制造方 法,其中更包括:在形成上述树脂封装体的步骤之 后,上述第1导线架与上述第2导线架是在上述第2线 架的终端部利用焊接来予以接合之步骤。20.如申 请专利范围第13项之半导体装置的制造方法,其中 上述焊接是由上述第1及第2导线架的一方的上方 照射雷射光来进行。21.如申请专利范围第20项之 半导体装置的制造方法,其中上述雷射光的照射范 围要比上述第1及第2导线架之各接合部的导线宽 度来得小。22.一种半导体装置的制造方法,其特征 是包括以下制造步骤: 准备:形成有半导体元件与复数个外部端子的主面 ,及具有分别对向于上述主面的背面的第1及第2半 导体晶片之步骤; 准备:藉由第1堵住杆而相互连结的复数个外导线 部,及包含自上述外导线部延伸的内导线部的第1 导线架,及藉由第2堵住杆而相互连结的复数个外 导线部,及包含自上述外导线部延伸的内导线部的 第2导线架之步骤; 将上述第1导线架的内导线部固定于上述第1半导 体晶片的主面,电气性地连接上述第1半导体晶片 的外部端子与上述第1导线架的内导线部,将上述 第2导线架的内导线部固定于上述第2半导体晶片 的主面,电气性地连接上述第2半导体晶片的外部 端子与上述第2导线架的内导线部之步骤; 以上述第1半导体晶片的背面与上述第2半导体晶 片的背面能够互相形成对向之方式来使上述第1导 线架与第2导线架重叠,并且在此状态下来对上述 第1半导体晶片与上述第2半导体晶片进行树脂封 装,而形成树脂封装体之步骤; 利用焊接来接合上述第1导线架与上述第2导线架 之步骤。23.如申请专利范围第22项之半导体装置 的制造方法,其中在准备上述第1及第2导线架的步 骤中,是使用上述第2堵住杆的宽度比上述第1堵住 杆的宽度还要窄者。24.如申请专利范围第22项之 半导体装置的制造方法,其中在准备上述第1及第2 导线架的步骤中,是使用上述第2导线架的外导线 部终端于上述第2堵住杆者。25.如申请专利范围第 22项之半导体装置的制造方法,其中在切断上述第1 及第2堵住杆的步骤中,将上述第1导线架的外导线 部折弯于上述第2导线架的位置方向。26.如申请专 利范围第22项之半导体装置的制造方法,其中在将 上述第1及第2导线架的内导线部固定于上述第1及 第2半导体晶片的主面之步骤中,上述第1导线架的 内导线部与上述第1半导体晶片的主面之间及上述 第2导线架的内导线部与上述第2半导体晶片的主 面之间是分别经由绝缘膜而固定。27.如申请专利 范围第22项之半导体装置的制造方法,其中在准备 上述第1及第2半导体晶片的步骤中,上述第1及第2 半导体晶片是使用同一尺寸,且同一电路构成者。 28.如申请专利范围第24项之半导体装置的制造方 法,其中更包括:在形成上述树脂封装体的步骤之 后,上述第1导线架与上述第2导线架是在上述第2导 线架的终端部利用焊接来予以接合之步骤。29.如 申请专利范围第22项之半导体装置的制造方法,其 中上述焊接是由上述第1及第2导线架的一方的上 方照射雷射光来进行。30.如申请专利范围第29项 之半导体装置的制造方法,其中上述雷射光的照射 范围要比上述第1及第2导线架之各接合部的导线 宽度来得小。31.一种半导体装置的制造方法,其特 征是包括以下制造步骤: 准备:形成有半导体元件与复数个外部端子的主面 ,及具有分别对向于上述主面的背面的第1及第2半 导体晶片之步骤; 准备:第1导线架具有用以支持外导线部及由上述 外导线部延伸的内导线部的框体,第2导线架具有 用以支持外导线部及由上述外导线部延伸的内导 线部的框体之步骤; 在上述第1导线架的内导线部固定上述第1半导体 晶片的主面,电气性地连接上述第1半导体晶片的 外部端子与上述第1导线架的内导线部,在上述第2 导线架的内导线部固定上述第2半导体晶片的主面 ,电气性地连接上述第2半导体晶片的外部端子与 上述第2导线架的内导线部之步骤; 在使上述第1导线架与第2导线架重叠的状态下来 对上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片进行 树脂封装,而形成树脂封装体之步骤; 在上述第1导线架及第2导线架的各外导线部实施 电镀处理之步骤; 在此,于上述树脂封装步骤之后,且于上述电镀处 理步骤之前,除去上述第2导线架的框体。32.一种 半导体装置的制造方法,其特征是包括以下制造步 骤: 准备:形成有半导体元件与复数个外部端子的主面 ,及具有分别对向于上述主面的背面的第1及第2半 导体晶片之步骤; 准备:藉由第1堵住杆而相互连结的复数个外导线 部,及包含自上述外导线部延伸的内导线部的第1 导线架,及藉由第2堵住杆而相互连结的复数个外 导线部,及包含自上述外导线部延伸的内导线部的 第2导线架之步骤; 将上述第1导线架的内导线部固定于上述第1半导 体晶片的主面,电气性地连接上述第1半导体晶片 的外部端子与上述第1导线架的内导线部,将上述 第2导线架的内导线部固定于上述第2半导体晶片 的主面,电气性地连接上述第2半导体晶片的外部 端子与上述第2导线架的内导线部之步骤; 以上述第1半导体晶片的背面与上述第2半导体晶 片的背面能够互相形成对向之方式来使上述第1导 线架与第2导线架重叠,并且在此状态下来对上述 第1半导体晶片与上述第2半导体晶片进行树脂封 装,而形成树脂封装体之步骤; 切断上述第1及第2堵住杆之步骤; 在上述第1导线架及第2导线架的各外导线部实施 电镀处理之步骤。33.一种半导体装置的制造方法, 其特征是包括以下制造步骤: 准备:在表背面中的一表面上形成有电极的第1及 第2半导体晶片之步骤; 准备具有:位于第1框体所围绕的领域内,外导线部 的前端部份是被支持于第1框体,中间部份是藉由 第1堵住杆而相互连结,且利用上述第1堵住杆来支 持于上述第1框体的复数条第1导线,及位于上述第1 框体所围绕的领域内,且被支持于上述第1框体的 垂吊导线之第1导线架之步骤; 准备具有:位于第2框体所围绕的领域内,外导线部 的前端部份是藉由第2堵住杆而相互连结,且利用 上述第2堵住杆来支持于上述第2框体的复数条第2 导线之第2导线架之步骤; 将上述第1导线架的内导线部接合固定于第1半导 体晶片的表面上,以及将上述第2导线架的内导线 部接合固定于第2半导体晶片的表面上之步骤; 电气性地连接上述第1半导体晶片的电极与上述第 1导线架的内导线部,以及电气性地连接上述第2半 导体晶片的电极与上述第2导线架的内导线部之步 骤; 以使上述第1半导体晶片及第2半导体晶片的各背 面能够彼此呈相向之方式,在令上述第1导线架及 上述第2导线架彼此重叠的状态下,藉由树脂来封 装上述第1半导体晶片及第2半导体晶片,上述第1导 线架的内导线部及上述第2导线架的内导线部,以 及垂吊导线的一部份,而来形成树脂封装体。34.如 申请专利范图第33项之半导体装置的制造方法,其 中在准备上述第2导线架的步骤中,是使用具有被 支持于上述第2堵住杆及上述第2框体的补强导线 之第2导线架。35.一种半导体装置的制造方法,其 特征是包括以下制造步骤: 准备形成有半导体元件与复数个外部端子的主面, 及具有分别对向于上述主面的背面的第1及第2半 导体晶片之步骤; 准备具有外导线部及自上述外导线部延伸的内导 线部的第1导线架,及具有外导线部及自上述外导 线部延伸的内导线部的第2导线架之步骤; 将上述第1导线架的内导线部固定于上述第1半导 体晶片的主面,电气性地连接上述第1半导体晶片 的外部端子与上述第1导线架的内导线部,将上述 第2导线架的内导线部固定于上述第2半导体晶片 的主面,电气性地连接上述第2半导体晶片的外部 端子与上述第2导线架的内导线部之步骤; 使上述第1及第2半导体晶片的背面彼此相向,并且 在其背面间充填缓冲体之步骤; 将上述第1及第2半导体晶片,上述第1导线架与上述 第2导线架的内导线部配置于金属模的模穴内部之 步骤; 在上述金属模的模穴内部加压注入树脂,而形成树 脂封装体之步骤。36.如申请专利范围第35项之半 导体装置的制造方法,其中上述第1及第2半导体晶 片与上述第1导线架及上述第2导线架的内导线部 之各电气性的连接是利用导体性金属线来进行。 37.一种半导体装置的制造方法,其特征是包括以下 制造步骤: 准备形成有半导体元件与复数个外部端子的主面, 及具有分别对向于上述主面的背面的第1及第2半 导体晶片之步骤; 准备具有外导线部及自上述外导线部延伸的内导 线部的第1导线架,及具有外导线部及自上述外导 线部延伸的内导线部的第2导线架之步骤; 将上述第1导线架的内导线部固定于上述第1半导 体晶片的主面,电气性地连接上述第1半导体晶片 的外部端子与上述第1导线架的内导线部,将上述 第2导线架的内 导线部固定于上述第2半导体晶片的主面,电气性 地连接上述第2半导体晶片的外部端子与上述第2 导线架的内导线部之步骤; 在使上述第1及第2半导体晶片的背面彼此相向的 状态下,将上述第1及第2半导体晶片,上述第1导线 架与上述第2导线架的内导线部配置于金属模的模 穴内部之步骤; 在上述金属模的模穴内部加压注入被混入多数的 填充物的树脂,而形成树脂封装体之步骤; 在此,上述第1半导体晶片的背面与上述第2半导体 晶片的背面的间隔要比上述填充物的最大粒径来 得宽。38.如申请专利范围第37项之半导体装置的 制造方法,其中上述第1及第2半导体晶片与上述第1 导线架及上述第2导线架的内导线部之各电气性的 连接是利用导体性金属线来进行。39.一种半导体 装置,其特征为: 以第1及第2半导体晶片的背面彼此能够呈对向之 方式来使其重叠,该第1及第2半导体晶片具备:形成 有半导体元件与复数的外部端子之主面,及分别对 向于上述主面之背面; 藉由树脂来封装使背面彼此呈对向而重叠的第1半 导体晶片及第2半导体晶片,而来形成树脂封装体; 第1导线架(具有复数的内导线部,该内导线部是被 固定于上述第1半导体晶片的主面)与第2导线架(具 有复数的内导线部,该内导线部是被固定于上述第 2半导体晶片的主面)是分别电气性地连接于形成 在上述第1及第2半导体晶片上的外部端子,上述第1 及第2半导体晶片分别具有:由内导线部延伸后自 上述树脂封装体露出的外导线部,且上述外导线部 具有供以表示已藉堵住杆连结之堵住杆痕; 在此,上述第2导线架之堵住杆痕的宽度要比上述 第1导线架之堵住杆痕的宽度来得狭窄。40.如申请 专利范围第39项之半导体装置,其中上述第1导线架 的外导线部是在上述第2导线架的堵住杆的位置方 向上被折弯。41.如申请专利范围第40项之半导体 装置,其中上述第2导线架的外导线部末端是终端 于上述第1导线架的外导线部的折弯内侧。42.如申 请专利范围第39项之半导体装置,其中上述第1及第 2半导体晶片是以同一尺寸,且同一电路图案所构 成。43.一种半导体装置,其特征是包括: 树脂封装体;及 位于上述树脂封装体的内部,且在表背面之中的表 面上形成电极之第1半导体晶片及第2半导体晶片; 及 延伸于上述树脂封装体的内外,且电气性地连接于 上述第1半导体晶片的电极之第1导线;及 延伸于上述树脂封装体的内外,且电气性地连接于 上述第2半导体晶片的电极之第2导线;等所构成者; 在此,上述第1导线与第2导线是藉由焊接来接合于 上述树脂封装体的外部。44.如申请专利范围第43 项之半导体装置,其中上述第2导线比上述第1导线 还要短,且在上述第2导线的前端部藉由焊接来予 以接合。45.如申请专利范围第44项之半导体装置, 其中上述第1及第2半导体晶片是以彼此的背面呈 对向之方式来予以层叠,然后进行树脂封装。46.如 申请专利范围第43项之半导体装置,其中上述第1与 上述第1导线,及上述第2半导体晶片与上述第2导线 是利用金属线来分别予以连接。47.如申请专利范 围第45项之半导体装置,其中上述第1及第2半导体 晶片的背面间被充填缓冲体。48.一种半导体装置, 其特征是包括: 由混入多数的填充物的树脂所构成之树脂封装体; 及 位于上述树脂封装体的内部,且在表背面之中的表 面上形成电极之第1半导体晶片及第2半导体晶片; 及 延伸于上述树脂封装体的内外,且电气性地连接于 上述第1半导体晶片的电极之第1导线;及 延伸于上述树脂封装体的内外,且电气性地连接于 上述第2半导体晶片的电极之第2导线;等所构成者; 在此,上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片是 在使各背面彼此相向,且使背面间的距离要比上述 填充物的最大粒径来得宽之状态下予以层叠。49. 如申请专利范围第48项之半导体装置,其中上述第1 半导体晶片与上述第1导线,及上述第2半导体晶片 与上述第2导线是利用金属线来分别予以连接。图 式简单说明: 第一图系表示使用于本发明之实施形态1的第1导 线架之平面图。 第二图系表示使用于本发明之实施形态1的第2导 线架之平面图。 第三图系表示沿着第1图之III-III线的第1导线架之 剖面图。 第四图系表示沿着第2图之IV-IV线的第2导线架之剖 面图。 第五图(A)系表示使用于本发明之实施形态l的第2 导线架之一部份的扩大平面图,第五图(B)系表示第 五图(A)之一部份的再扩大平面图。 第六图系表示本发明之实施形态1的半导体装置之 制造方法的第1导线架之平面图。 第七图系表示本发明之实施形态1的半导体装置之 制造方法的第2导线架之平面图。 第八图(A)系表示本发明之实施形态l的半导体装置 之制造方法的第1导线架之剖面图。第八图(B)图系 表示本发明之实施形态1的半导体装置之制造方法 的第2导线架之剖面图。 第九图系表示本发明之实施形态1的半导体装置之 制造方法的第1导线架之平面图。 第十图系表示本发明之实施形态1的半导体装置之 制造方法的第2导线架之平面图。 第十一图(A),(B)系表示本发明之实施形态1 的半导 体装置之制造方法的剖面图。 第十二图系表示本发明之实施形态1的半导体装置 之制造方法的剖面图。 第十三图系表示本发明之实施形态1的半导体装置 之制造方法的金属模之要部剖面图。 第十四图(A),(B)系表示本发明之实施形态1的半导 体装置之制造方法的金属模之要部扩大剖面图。 第十五图系表示金属模的模穴端部之堵住杆的重 叠状态之立体图。 第十六图系表示本发明之实施形态1的半导体装置 之制造方法的要部扩大立体图。 第十七图系表示本发明之实施形态1的半导体装置 之剖面图。 第十八(A),(B),(C)图系表示导线之切断成形方法的 说明图。 第十九图系表示本发明之实施形态1的半导体装置 之制造方法的要部扩大立体图。 第二十图系表示将本发明之实施形态l的半导体装 置安装于印刷配线基板之状态平面图。 第二十一图系表示第二十图之I-I线之剖面图。 第二十二图(A)系表示使用于本发明之实施形态2的 第2导线架之一部份的扩大平面图,第二十二图(B) 系表示第二十二图(A)之一部份的再扩大平面图。 第二十三图系表示本发明之实施形态2的半导体装 置之制造方法的金属模之要部扩大剖面图。 第二十四图(A)系表示使用于本发明之实施形态3的 第2导线之一部份的扩大平面图,第二十四图(B)系 表示第二十四图(A)之一部份的再扩大平面图。 第二十五图系表示本发明之实施形态3的半导体装 置之制造方法的金属模之要部扩大剖面图。 第二十六图系表示去除本发明之实施形态4的半导 体装置之树脂封装体的上部之后的状态之平面图 。 第二十七图系表示去除本发明之实施形态4的半导 体装置之树脂封装体的下部之后的状态之底面图 。 第二十八图系表示第二十六图之a-a线之剖面图。 第二十九图系表示装入本发明之实施形态4的半导 体装置中之半导体晶片的概略构成之要部剖面图 。 第三十图系表示扩大第二十八图的一部份之剖面 图。 第三十一图系表示本发明之实施形态4的半导体装 置之要部剖面图。 第三十二图系表示使用于本发明之实施形态4的半 导体装置之制造的第1导线架之平面图。 第三十三图系表示扩大第三十二图的一部份之剖 面图。 第三十四图系表示使用于本发明之实施形态4的半 导体装置之制造的第2导线架之平面图。 第三十五图系表示扩大第三十四图的一部份之剖 面图。 第三十六图系用以说明在本发明之实施形态4的半 导体装置之制造中的导线接合过程之要部剖面图 。 第三十七图系表示在本发明之实施形态4的半导体 装置之制造中使第1及第2导线架重叠后的状态之 要部平面图。 第三十八图系用以说明在本发明之实施形态4的半 导体装置之制造中的封装过程之要部剖面图。 第三十九图系用以说明在本发明之实施形态4的半 导体装置之制造中的封装过程之要部剖面图。 第四十图系用以说明在本发明之实施形态4的半导 体装置之制造中的封装过程之要部剖面图。 第四十一图系用以说明在本发明之实施形态4的半 导体装置之制造中的封装过程之要部剖面图。 第四十二图系用以说明在本发明之实施形态4的半 导体装置之制造中实施封装过程后的状态之底面 图。 第四十三图系用以说明在本发明之实施形态4的半 导体装置之制造中实施封装过程后的状态之底面 图。 第四十四图系用以说明使用于本发明之实施形态4 的半导体装置之制造中的雷射装置之概略构成方 块图。 第四十五图系用以说明在本发明之实施形态4的半 导体装置之制造中的接合过程之要部底面图。 第四十六图系用以说明在本发明之实施形态4的半 导体装置之制造中的接合过程之要部立体图。 第四十七图系表示在本发明之实施形态4的半导体 装置之制造中去除第2导线架的框体之后的状态之 底面图。 第四十八图系表示在本发明之实施形态4的半导体 装置之制造中去除第2导线架的框体之后的状态之 剖面图。 第四十九图系用以说明在本发明之实施形态4的半 导体装置之制造中的电镀过程之流程图。 第五十图系表示本发明之实施形态5的半导体装置 之剖面图。 第五十一图系用以说明在本发明之实施形态5的半 导体装置之制造中的导线接合过程之要部剖面图 。 第五十二图系表示在本发明之实施形态5的半导体 装置之制造中使第1及第2导线架重叠后的状态之 要部剖面图。 第五十三图系用以说明在本发明之实施形态5的半 导体装置之制造中的封装过程之要部剖面图。 第五十四图系表示本发明之实施形态6的半导体装 置之剖面图。 第五十五图系表示在本发明之实施形态6的半导体 装置之制造中使第1及第2导线架重叠后的状态之 要部剖面图。 第五十六图系用以说明在本发明之实施形态6的半 导体装置之制造中的封装过程之要部剖面图。 第五十七图系用以说明习知的问题点之剖面图。 第五十八图系用以说明习知的问题点之剖面图。 |
