| 主权项 |
1.一种传输成份至使用化学机械平面化装置以进 行化学机械抛光程序之工件之方法,该方法包括以 下步骤: 提供化学机械平面化装置,以在工件被接收于其上 时进行化学机械抛光程序; 提供抛光程序用之浆液; 提供抛光垫; 提供含有试剂之微胶囊,此微胶囊系包封所需试剂 , 以浆液、抛光垫及微胶囊之组合抛光该工件;及 在抛光步骤期间,经由抛光参数之操控,可控制地 释出该封胶试剂。2.如申请专利范围第1项之方法, 其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括提供含有 试剂之微胶囊在浆液中。3.如申请专利范围第1项 之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括提供含有 试剂之微胶囊在抛光垫中。4.如申请专利范围第1 项之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括个别自浆 液制备含有试剂之微胶囊,及添加含有试剂之微胶 囊至浆液。5.如申请专利范围第1项之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括个别制备 含有试剂之微胶囊,并在抛光垫制造期间,将含有 试剂之微胶囊包埋在抛光垫中。6.如申请专利范 围第1项之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括在该抛光 步骤期间,提供单一类型之含有所需试剂之微胶囊 。7.如申请专利范围第1项之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括在该抛光 步骤期间,同时提供多重类型之含有所需试剂之微 胶囊。8.如申请专利范围第1项之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括提供两部 份球状体粒子,其中该两部份球状体粒子各具有流 体中心,藉外壳与环境隔离,该流体中心包括下列 之一,选自包括酸、硷、界面活性剂、极性流体、 非极性流体、化学反应物、滴定剂、稀释剂、缓 冲剂、溶剂、化学溶液及任何其他流体相物质。9 .如申请专利范围第1项之方法,其中 在抛光步骤期间可控制释出封胶试剂之步骤,系包 括操控所施加在工件与抛光垫间之抛光力。10.如 申请专利范围第9项之方法,其中进一步 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括提供含有 试剂之微胶囊在浆液中,浆液与微胶囊系插入抛光 工件表面与抛光垫之间,再者其中系在该抛光步骤 期间,使试剂直接且立即可采用于抛光表面。11.如 申请专利范围第1项之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括提供含有 试剂之微胶囊在抛光垫中,其中系在该抛光步骤期 间,使试剂直接且立即可采用于抛光表面。12.如申 请专利范围第1项之方法,其中 在该抛光步骤期间,经由抛光参数之操控,而可控 制释出封胶试剂之步骤,系包括活化与直接传输适 当剂量之所需试剂至欲被抛光工件之表面。13.如 申请专利范围第1项之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括提供所需 试剂,其在该抛光步骤期间系提供代表特定抛光特 性之可测得状态。14.如申请专利范围第13项之方 法,其进一步包括以下步骤: 控制抛光步骤,以回应代表特定抛光特性之可测得 状态之检测。15.如申请专利范围第13项之方法,其 中 所需试剂系与下层反应,当在欲被抛光之工件表面 上之覆盖薄膜被移除时,该下层系外露,此反应提 供可用于检测抛光终点之状态。16.如申请专利范 围第13项之方法,其中 所需试剂系与下层表面之抛光所形成之抛光流出 物反应,当在欲被抛光之工件表面上之覆盖薄膜被 移除时,该下层系外露,此反应提供可用于检测抛 光终点之状态。17.如申请专利范围第13项之方法, 其中 所需试剂系经选择,以提供可用于诊断应用之可测 得状态,其中自微胶囊暂时释出之试剂,系与实际 前进至抛光垫与工件表面间之重要且活性抛光区 域之浆液量成正比。18.如申请专利范围第1项之方 法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括提供一种 以所需方式改变及加强该抛光步骤之试剂,其中该 抛光步骤之改变与加强系经由含有试剂之微胶囊 之适当操控而有效地调节。19.如申请专利范围第1 项之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括提供适用 于抛光垫之所需调理之试剂。20.如申请专利范围 第1项之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括提供一种 试剂,选自包括含矽石与氧化铝之浆液粒子,氢氧 化钾(KOH),氧化剂,还原剂,四甲基铵水合物(TMAH),硫 酸铝,氢氧化铵,包括氢氧化钾与氢氧化纳之pH値缓 冲剂,胺类,依及波(igepal),pH値缓冲剂,缓冲剂,界面 活性剂及其他对化学机械平面化有利之化学品。 21.如申请专利范围第1项之方法,其中 该提供含有试剂之微胶囊之步骤,系包括提供在其 他情况下与浆液不相容之所需试剂。22.一种能够 传输成份至进行化学机械抛光程序之工件之化学 机械平面化装置,该装置包括 化学机械平面化装置,用以在工件被接收于其上时 进行化学机械抛光程序; 用以提供浆液以供抛光程序期间使用之设置; 抛光垫,及 用以提供含有试剂之微胶囊之设置,此微胶囊系包 封所需试剂,及 用以操控抛光参数之设置,其中工件系藉由浆液、 抛光垫及微胶囊之组合进行抛光,且再者其中封胶 试剂系在工件抛光期间,经由抛光参数之操控,可 控制地释出。23.如申请专利范围第22项之装置,其 中 该用以提供含有试剂之微胶囊之设置,系包括浆液 ,其中浆液含有包含试剂之微胶囊。24.如申请专利 范围第22项之装置,其中 该用以提供含有试剂之微胶囊之设置,系包括抛光 垫,其中抛光垫系包埋含有试剂之微胶囊。25.如申 请专利范围第22项之装置,其中 该用以提供含有试剂之微胶囊之设置,系包括单一 类型之含有所需试剂之微胶囊。26.如申请专利范 围第22项之装置,其中 该用以提供含有试剂之微胶囊之设置,系包括多重 类型之含有所需试剂之微胶囊。27.如申请专利范 围第22项之装置,其中 该用以操控抛光参数之设置,系包括操控在工件与 抛光垫间所施加之抛光力。28.如申请专利范围第 22项之装置,其中 该用以提供含有试剂之微胶囊之设置,系包括提供 一种所需试剂,其在抛光期间系提供代表特定抛光 特性之可测得状态,该装置进一步包括 用以控制工作抛光之装置,以回应代表特定抛光特 性之可测得状态之检测。29.如申请专利范围第28 项之装置,其中 所需试剂系与下层反应,当在欲被抛光之工件表面 上之覆盖薄膜被移除时,该下层系外露,且 该控制设置系用以控制抛光终点,以回应所需试剂 与外露下层之反应发生之检测。30.如申请专利范 围第28项之装置,其中 所需试剂系与下层表面之抛光所形成之抛光流出 物反应,当在欲被抛光之工件表面上之覆盖薄膜被 移除时,该下层系外露,且 该控制设置系用以控制抛光终点,以回应所需试剂 与抛光流出物之反应发生之检测。31.如申请专利 范围第28项之装置,其中 所需试剂系经选择,以提供可用于诊断应用之可测 得状态,其中自微胶囊暂时释出之试剂,系与实际 前进至抛光垫与工件表面间之重要且活性抛光区 域之浆液量成正比。32.如申请专利范围第22项之 装置,其中 该用以提供含有试剂之微胶囊之设置,系包括提供 一种以所需方式改变及加强工件抛光之试剂,其中 抛光之改变与加强系经由含有试剂之微胶囊之适 当操控而有效地调节。33.如申请专利范围第22项 之装置,其中 该用以提供含有试剂之微胶囊之设置,系包括提供 适用于抛光垫之所需调理之试剂。图式简单说明: 第一图为使用于根据本发明方法与装置中之化学 机械平面化(CMP)装置之示意图; 第二图系说明一种抛光垫,其具有根据本发明含特 殊作用剂之微胶囊被掺入其中;及 第三图系说明根据本发明含有外露特殊作用剂之 微胶囊之破裂。 |
