| 主权项 |
1.一种晶圆抛光装置,其将晶圆压靠在一旋转抛光 布,以抛光该晶圆之表面,该晶圆抛光装置包含: 一载体,用于固持该晶圆并将该晶圆压靠在该抛光 布; 一抛光表面调整环,其包围该晶圆的周围,并以该 晶圆被压靠在该抛光布; 压机构,用于将该抛光表面调整环压靠在该抛光布 ; 位置侦测机构,用于侦测该抛光表面调整环相对于 该抛光布的凹陷位置; 控制机构,用于控制该压机构之压力以设定由该位 置侦测机构所侦测的该凹陷位置,使得从该抛光布 施加至该晶圆的抛光压力是均匀的。2.如申请专 利范围第1项之晶圆抛光装置,其中该位置侦测机 构是设有蕊心与线轴之差接变压器。3.如申请专 利范围第1项之晶圆抛光装置,其中该位置侦测机 构是一容量感测器。4.一种晶圆抛光装置,其将晶 圆压靠在一旋转抛光布,以抛光该晶圆之表面,该 晶圆抛光装置包含: 一载体,用于固持该晶圆。 第一压机构,用于将载体压靠在该抛光布; 压力空气层形成机构,用于形成压力空气层于该载 体与该晶圆之间,并经由该压力空气层将压力从该 第一压机构传送至该晶圆; 一保持环,设在该载体的外侧,可避免该晶圆弹出 该载体; 一抛光表面调整环,设在该保持环的外侧,并使该 抛光布与该晶圆接触; 第二压机构,用于将该抛光表面调整环压靠在该抛 光布; 位置侦测机构,用于侦测该抛光表面调整环相对于 该抛光布的凹陷位置; 控制机构,用于控制该第二压机构之压力以设定由 该位置侦测机构所侦测的该凹陷位置,使得从该抛 光布施加至该晶圆的抛光压力是均匀的。5.如申 请专利范围第4项之晶圆抛光装置,其中该位置侦 测机构是设有蕊心与线轴之差接变压器。6.如申 请专利范围第4项之晶圆抛光装置,其中该位置侦 测机构是一容量感测器。7.如申请专利范围第4项 之晶圆抛光装置,其中该保持环是由比该抛光表面 调整环软的材料制成。8.一种晶圆抛光装置,其将 晶圆压靠在一旋转抛光布,以抛光该晶圆之表面, 该晶圆抛光装置包含: 一载体,用于固持该晶圆; 第一压机构,用于将载体压靠在该抛光布; 压力空气层形成机构,用于形成压力空气层于该载 体与该晶圆之间,并经由该压力空气层将压力从该 第一压机构传送至该晶圆; 一保持环,设在该载体的外侧,可避免该晶圆弹出 该载体; 一抛光表面调整环,设在该保持环的外侧,并使该 抛光布与该晶圆接触; 第二压机构,用于将该抛光表面调整环压靠在该抛 光布; 压构件,设在该保持环的外侧,该压构件藉着该抛 光表面调整环而与被压平的该抛光布接触; 位置侦测机构,用于侦测该抛光表面调整环相对于 该抛光布的凹陷位置; 控制机构,用于控制该第二压机构之压力以设定由 该位置侦测机构所侦测的该凹陷位置,使得从该抛 光布施加至该晶圆的抛光压力是均匀的。9.如申 请专利范围第8项之晶圆抛光装置,其中该位置侦 测机构是设有蕊心与线轴之差接变压器。10.如申 请专利范围第8项之晶圆抛光装置,其中该位置侦 测机构是一容量感测器。11.如申请专利范围第8项 之晶圆抛光装置,其中该压构件是很难热膨胀的材 料制成,且被压靠在该抛光布之接触表面涂以钻石 或由陶瓷制成,以避免被该抛光布抛光。12.如申请 专利范围第8项之晶圆抛光装置,其中该保持环是 由比该抛光表面调整环软的材料制成。图式简单 说明: 第一图是一图形,指出依据本发明之晶圆抛光装置 的整个表面; 第二图是一纵剖面图,指出被应用于第一图中的晶 圆抛光装置之晶圆固定头的第一实施例; 第三图是一方块图,指出第一图中的晶圆抛光装置 中之控制系统; 第四图是一辅助图形,说明当抛光表面调整环之压 力很小时从抛光布被施加至晶圆之抛光压力; 第五图是一辅助图形,说明当抛光表面调整环之压 力很大时从抛光布被施加至晶圆之抛光压力; 第六图是一辅助图形,说明当抛光表面调整环之压 力被设定在适当値时从抛光布被施加至晶圆之抛 光压力; 第七图是一剖面图,指出晶圆固定头的第二实施例 ; 第八图是一纵剖面图,指出晶圆固定头的第三实施 例; 第九图是一剖面图,指出晶圆固定头的第四实施例 ; 第十图是一平面图,指出晶圆固定头的第五实施例 ;及 第十一图是一纵剖面图,指出晶圆固定头的第五实 施例。 |
