发明名称 化学机械研磨制程中之晶圆固定装置
摘要 一种晶圆固定装置,用来固定晶圆以便在具有研浆之研磨垫上进行化学机械研磨制程,其中该研磨垫之表面具有沟纹,以提供该研浆进入该晶圆与该研磨垫之间。该晶圆固定装置包含了一吸附装置,用以在该晶圆与具有研浆之研磨垫接触时吸附住该晶圆。另外,一固定环,具有外缘与内缘,且该内缘环绕于吸附装置周围,以维持晶圆于吸附装置表面。此外,在固定环上形成复数个开槽,以保留并使研浆进入晶圆与研磨垫之间,其中复数个开槽各自具有邻近于内环之闭口端,以及切齐于外环之开口端。并且,该复数个开槽并沿着固定环之径向,朝着固定环之旋转方向倾斜。
申请公布号 TW434105 申请公布日期 2001.05.16
申请号 TW087121773 申请日期 1998.12.29
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 邓国修;黄贞旋
分类号 B24B7/20;H01L21/304 主分类号 B24B7/20
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种晶圆固定装置,用以固定晶圆,以便在具有研 浆(slurry)之研磨垫(polish pad)上进行化学机械研磨( CMP)制程,该晶圆固定装置至少包含: 吸附装置,用以在该晶圆与上述具有研浆之研磨垫 接触时吸附该晶圆; 固定环,具有外缘部份与内缘部份,且该内缘部份 环绕于该吸附装置周围,用以维持该晶圆于吸附装 置表面;以及 复数个开槽,位于该固定环上,用以保留并使研浆 进入该晶圆与该研磨垫之间,其中每一个开槽自邻 近于该内环部份之区域沿伸至该外环部份。2.如 申请专利范围第1项之装置,其中上述之晶圆固定 装置更包含管线装置,连接于该吸附装置,并藉由 气体来控制该吸附装置进行化学机械研磨程序。3 .如申请专利范围第1项之装置,其中上述之吸附装 置是藉由抽除气体而产生真空吸力,以吸附该晶圆 。4.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之研磨 垫其表面具有沟纹(grooves),以提供该研浆进入该晶 圆与该研磨垫之间。5.如申请专利范围第1项之装 置,其中上述复数个开槽具有长条形之形状。6.如 申请专利范围第1项之装置,其中上述复数个开槽 具有梯形之形状。7.如申请专利范围第1项之装置, 其中上述复数个开槽皆具有邻近于该内环部份之 闭口端,以及切齐于该外环部份之开口端。8.如申 请专利范围第7项之装置,其中上述开口端之宽度 大于该闭口端之宽度。9.如申请专利范围第1项之 装置,其中上述之固定环具有八个开槽。10.如申请 专利范围第1项之装置,其中上述复数个开槽沿着 该固定环之径向,朝着该固定环之旋转方向倾斜。 11.一种化学机械研磨(CMP)系统,该系统至少包含: 研磨垫,用以放置晶圆于其上并进行化学机械研磨 制程; 研浆,用以作为进行化学机械研磨制程时,该晶圆 与研磨垫之间的化学助剂; 吸附装置,用以在该晶圆与该研磨垫接触时吸附该 晶圆; 管线装置,连接于该吸附装置,藉由传输气体来控 制该吸附装置进行化学机械研磨制程; 固定环,具有外缘部份与内缘部份,且该内缘部份 环绕于该吸附装置周围,用以维持该晶圆于吸附装 置表面;以及 复数个开槽,位于该固定环上,用以保留且驱使研 浆进入该晶圆与该研磨垫之间,其中每一个开槽自 邻近于该内环部份之区域沿伸至该外环部份。12. 如申请专利范围第11项之系统,其中上述之吸附装 置是藉由抽除气体而产生真空吸力,以吸附该晶圆 。13.如申请专利范围第11项之系统,其中上述之研 磨垫其表面具有沟纹(grooves),以提供该研浆进入该 晶圆与该研磨垫之间。14.如申请专利范围第11项 之系统,其中上述复数个开槽具有长条形之形状。 15.如申请专利范围第11项之系统,其中上述复数个 开槽具有梯形之形状。16.如申请专利范围第11项 之系统,其中上述复数个开槽皆具有邻近于该内环 部份之闭口端,以及切齐于该外环部份之开口端。 17.如申请专利范围第16项之系统,其中上述开口端 之宽度大于该闭口端之宽度。18.如申请专利范围 第11项之系统,其中上述之固定环具有八个开槽。 19.如申请专利范围第11项之系统,其中上述复数个 开槽沿着该固定环之径向,朝着该固定环之旋转方 向倾斜。20.一种晶圆固定装置,用以固定晶圆,以 便在具有研浆(slurry)之研磨垫(polish pad)上进行化 学机械研磨(CMP)制程,其中该研磨垫其表面具有沟 纹(grooves),以提供该研浆进入该晶圆与该研磨垫之 间,该晶圆固定装置至少包含: 吸附装置,用以在该晶圆与上述具有研浆之研磨垫 接触时吸附该晶圆; 固定环,具有外缘部份与内缘部份,且该内缘部份 环绕于该吸附装置周围,用以维持该晶圆于吸附装 置表面;以及 复数个开槽,位于该固定环上,用以保留且驱迫研 浆进入该晶圆与该研磨垫之间,其中该复数个开槽 皆具有长条形之形状,且自邻近于该内环部份之区 域沿伸至该外环部份,该复数个开槽沿着该固定环 之径向,朝着该固定环之旋转方向倾斜。21.如申请 专利范围第20项之装置,其中上述复数个开槽皆具 有邻近于该内环部份之闭口端,以及切齐于该外环 部份之开口端。22.如申请专利范围第21项之装置, 其中上述开口端之宽度大于该闭口端之宽度。23. 如申请专利范围第20项之装置,其中上述之固定环 具有八个开槽。24.一种晶圆固定装置,用以固定晶 圆,以便在具有研浆(slurry)之研磨垫(polish pad)上进 行化学机械研磨(CMP)制程,其中该研磨垫其表面具 有沟纹(grooves),以提供该研浆进入该晶圆与该研磨 垫之间,该晶圆固定装置至少包含: 吸附装置,用以在该晶圆与上述具有研浆之研磨垫 接触时吸附该晶圆; 固定环,具有外缘部份与内缘部份,且该内缘部份 环绕于该吸附装置周围,用以维持该晶圆于吸附装 置表面;以及 复数个开槽,位于该固定环上,用以保留且驱迫研 浆进入该晶圆与该研磨垫之间,其中该复数个开槽 为梯形开槽,并各自具有邻近于该内环部份之闭口 端,以及切齐于该外环部份之开口端,且该开口端 之宽度大于该闭口端之宽度;该复数个开槽并沿着 该固定环之径向,朝着该固定环之旋转方向倾斜。 25.如申请专利范围第24项之装置,其中上述之固定 环具有八个开槽。图式简单说明: 第一图所显示为传统技术中进行化学机械研磨制 程之晶圆固定装置; 第二图A所显示为传统技术中进行化学机械研磨制 程之晶圆固定装置其固定环之仰视图; 第二图B所显示为传统技术中进行化学机械研磨制 程之晶圆固定装置其研磨垫之仰视图; 第三图所显示为根据本发明用以进行化学机械研 磨制程之晶圆固定装置; 第四图A所显示为根据本发明用以进行化学机械研 磨制程之晶圆固定装置其固定环之仰视图; 第四图B所显示为根据本发明用以进行化学机械研 磨制程之晶圆固定装置其固定环之截面图; 第五图A所显示为根据本发明用以进行化学机械研 磨制程之晶圆固定装置其固定环之仰视图;以及 第五图B所显示为根据本发明用以进行化学机械研 磨制程之晶圆固定装置其固定环之仰视图。
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