| 主权项 |
1.一种研磨剂,其特征为:含有以二氧化矽粒子作为 主成分之抛光粒子,及水所组成之溶媒,及水溶性 纤维素,将水溶性纤维素之浓度作为C重量%时,硷金 属杂质之含有量为5Cppm以下者。2.如申请专利范围 第1项所述之研磨剂,其中,上述水溶性纤维素之浓 度(C)为0.05至4重量%者。3.如申请专利范围第1项所 述之研磨剂,其中,上述二氧化矽粒子之含有量系0. 1至50重量%以下者。4.如申请专利范围第1项所述之 研磨剂,其中,又含有pH调整剂者。5.如申请专利范 围第4项所述之研磨剂,其中,上述pH调整剂系其20℃ 之蒸汽压力在133Pa以下者。6.如申请专利范围第4 项所述之研磨剂,其中,上述pH调整剂系水溶性胺所 组成者。7.如申请专利范围第6项所述之研磨剂,其 中,该pH为8至11者。8.一种半导体晶圆之抛光方法, 其特征为:包括在从晶锭切片并经复数次抛光的半 导体晶圆之抛光面,适用含有以二氧化矽粒子作为 主成分之抛光粒子,及水所组成之溶媒,及水溶性 纤维素,将水溶性纤维素之浓度作为C重量%时,硷金 属杂质之含有量为5Cppm以下的研磨剂,包括实行精 修之抛光的过程者。9.一种半晶圆之抛光方法,其 特征为:包括在形成半导体基板上的被抛光膜。一 面供应申请专利范围第1项所述之研磨剂,一面实 行化学机械式抛光之过程者。10.如申请专利范围 第9项所述之抛光方法,其中,在上述被抛光膜膜上 述研磨剂一起供应分解剂者。11.如申请专利范围 第10项所述之抛光方法,其中,在上述分散剂系离子 水或纯水者。图式简单说明: 第一图系表示可适用本发明之研磨剂之抛光装置 的概略图。 第二图A至第二图E系表示半导体装置之各制程的 剖面图。 第三图A至第三图G系表示抛光之各过程的剖面图 。 第四图A至第四图C系表示形成Cu配线之各过程的剖 面图。 第五图系表示用于说明抛光加工部分的概略斜视 图。 第六图系表示用于说明抛光加工部分的概略斜视 图。 第七图系表示实行CMP之半导体基板之剖面图之样 子的概略剖面图。 第八图系表示二氧化矽浓度与抛光速率(nm/min)及 被抛光膜之均匀性(1%)之关系的图表图。 第九图系表示二氧化矽浓度与杯状变形量之关系 的图表图。 第十图系表示二氧化矽浓度与磨去量之关系的图 表图。 |
