| 发明名称 | 由树脂制成应力吸收层的倒装片型半导体器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 在倒装片型半导体器件中,多个平头电极(12、32)形成在半导体基片(11、31)上。由固化树脂制成的绝缘应力吸收树脂层(14、34、34’)形成在半导体基片上,并具有对应平头电极的开口(14a、34a)。多个柔性传导部件(16、21、36、38、51、61)填充在开口内。多个金属凸块(17)形成在柔性传导层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1295344A | 申请公布日期 | 2001.05.16 |
| 申请号 | CN00133424.7 | 申请日期 | 2000.11.03 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 本多广一 |
| 分类号 | H01L23/12 | 主分类号 | H01L23/12 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1．一种倒装片型半导体器件，包括：半导体基片(11、13)；形成在所述半导体基片上的多个平头电极(12、32)；由热固化树脂制成的绝缘应力吸收树脂层(14、34、34’)形成在所述半导体基片上，并具有对应所述平头电极的开口(14a、34a)；多个柔性传导部件(16、21、36、38、51、61)，每一个充满所述开口之一；多个金属凸块(17)，每一个凸块形成在一个柔性传导层上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||