用选择性面外延产生的垂直光学腔

摘要

一种单片垂直光学腔装置(100),具有底部分布布喇格反射器(DBR)、由利用选择性面外延(SAE)掩膜生长在底部DBR顶部上至少一个光敏层组成的量子阱(QW)区域,以致于光敏层在垂直于垂直方向的水平面内展现至少一个物理参数的偏差、以及淀积在QW区域(70)顶部上的顶部DBR。该装置具有沿底部DBR(50)和顶部DBR(76)之间垂直方向限定的可变法布里一珀罗距离(82)和光敏层的可变物理参数。

主权项

1．一种沿垂直方向延伸的单片垂直光学腔，其特征在于所述单片垂直光学腔包括：a)具有多个底部反射器的底部分布布喇格反射器；b)利用选择性面外延掩膜生长在所述底部分布布喇格反射器的顶部上的量子阱区域，所述量子阱区域包括至少一个光敏层，具有至少一个展现水平面内偏差的物理参数；c)淀积在所述量子阱区域的顶部上并具有多个顶部反射器的顶部分布布喇格反射器；这里，沿所述底部分布布喇格反射器与所述顶部分布布喇格反射器之间所述垂直方向限定的法布里-珀罗距离在所述水平面上变化。