| 发明名称 | 薄膜型装置及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜型装置及其制作方法,包括下列步骤:在一衬底的上表面形成一底层;在此底层开设第一蚀刻窗;形成牺牲层充填第一蚀刻窗;形成一结构层覆盖牺牲层表面;在结构层开设第二蚀刻窗;最后经由第二蚀刻窗对牺牲层及衬底进行蚀刻,使得第二蚀刻窗连通第一蚀刻窗,并且形成一坑穴深入衬底内,导致结构层在坑穴上方形成一悬浮区域,而与衬底之间形成隔离。利用本发明制作的薄膜型装置能获得较大面积的悬浮区域,并可避免悬浮区域与底层发生粘附,有较高的可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN1295352A | 申请公布日期 | 2001.05.16 |
| 申请号 | CN99122222.9 | 申请日期 | 1999.11.03 |
| 申请人 | 光磊科技股份有限公司 | 发明人 | 沈志雄;陈忠男 |
| 分类号 | H01L49/02;B81C1/00 | 主分类号 | H01L49/02 |
| 代理机构 | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1、一种薄膜型装置，其特征在于：包括：一衬底，其具有一上表面；一坑穴，从该衬底的上表面深入该衬底内；底层形成于该衬底的上表面；结构层形成于该底层上，该结构层并具有一区域悬浮于该坑穴上方，其中，该底层具有一部分贴附于该结构层的悬浮区域下方而形成一补强结构，该补强结构的面积小于或大于该悬浮区域的面积；以及一蚀刻窗，贯穿该底层及该结构层而连通该坑穴。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||