| 发明名称 | 采用Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>薄膜作为电介质膜的Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的电容器的制造方法,采用Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>薄膜作为电介质膜,提高泄漏电流特性和介电特性。该方法包括以下工序:提供半导体衬底,其上形成有预定的下部图形,覆盖有层间绝缘膜;在所述层间绝缘膜上形成电容器下部电极;对所述下部电极表面进行氮化处理;在所述表面氮化处理后的下部电极上蒸镀非晶态Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>薄膜作为电介质膜;依次进行针对所述非晶态Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>薄膜的低温退火和高温退火;在由所述Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>薄膜构成的电介质膜上形成电容器上部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1295341A | 申请公布日期 | 2001.05.16 |
| 申请号 | CN00135507.4 | 申请日期 | 2000.11.09 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 李起正;朱光喆 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L21/28;H01L21/324;H01L21/316;H01L21/321 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件的电容器制造方法，其特征在于，包括以下工序：提供半导体衬底，其上形成有预定的下部图形，覆盖有层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成电容器下部电极；对所述下部电极表面进行氮化处理；在所述表面氮化处理后的下部电极上蒸镀非晶态Ta2O5薄膜；对所述非晶态Ta2O5薄膜进行低温退火；为了获得作为电介质膜的结晶Ta2O5薄膜，对所述低温退火后的非晶态Ta2O5薄膜进行高温退火；在由所述结晶Ta2O5薄膜构成的电介质膜上形成上部电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||