| 发明名称 |
Method for manufacturing self-aligned stack capacitor using electroplating method |
| 摘要 |
<p>전기 도금 방법을 이용하여 배리드 콘택(buried contact)과 스토리지 노드(storage node)를 동시에 형성하는 샐프얼라인 스택 커패시터의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 스택 커패시터에서는 도전 영역이 노출된 반도체 기판을 준비한다. 상기 반도체 기판상에 상기 도전 영역을 노출시키는 배리드 콘택홀을 갖춘 층간절연막을 형성한다. 상기 배리드 콘택홀의 내벽 및 상기 층간절연막의 상면을 포함한 전면에 걸쳐서 연속적으로 연결되는 제1 도전성 시드층을 형성한다. 상기 배리드 콘택홀을 노출시키는 스토리지 노드 홀을 갖춘 부도체 패턴을 상기 층간절연막 상면의 제1 도전성 시드층 위에 형성한다. 전기 도금에 의하여 상기 배리드 콘택홀을 채우는 배리드 콘택 및 상기 스토리지 노드 홀을 채우는 하부 전극을 동시에 형성한다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100289739(B1) |
申请公布日期 |
2001.05.15 |
| 申请号 |
KR19990014272 |
申请日期 |
1999.04.21 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
호리이히데끼 |
| 分类号 |
H01L29/92;H01L21/02;H01L21/288;H01L21/8242 |
主分类号 |
H01L29/92 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
