| 摘要 |
光导波路光栅系在主核区域(ll)的周围有覆被层区域(12)的光纤(1O),在沿着主核区域(ll)的光轴方向的一定范围(13)使产生周期性的折射率变化,主核区域(ll)可由如GeO2-P2O5-SiO2P2O5系所构成,覆被层区域(12)则以SiO2构成,对主核区域(ll)的添加比加以调整,以降低温度依存特性,在主核区域(ll)的P205的添加量应维持在Ge02的添加量的l/l5倍以上、1倍以下,最好是O.6倍以上、1倍以下。 |
| 主权项 |
1.一种光导波路光栅,系以Sio2为主要成份,其光导波路在主核区域(Core Area的周围具有覆被层区域,且在上述主核区域的光轴方向之一定区域使其能周期性地折射率变化而形成光导波路光栅,其特征为:在上述主核区域一齐添加乃GeO2与P2O5。2.如申请专利范围第1项之光导波路光栅,其中上述主核区域中P2O5的莫耳添加量为GeO2莫耳添加量的1/15倍以上,一倍以下者。3.如申请专利范围第2项之光导波路光栅,其中上述主核区域中P2O5的莫尔添加量为GeO2莫耳添加量的0.6倍以上,一倍以下者。4.如申请专利范围第1项之光导波路光栅,其中上述主核区域中更添加有B2O3,且P2O5与B2O3的莫耳添加量之总和为GeO2莫耳添加量的1/15倍以上一倍以下,B2O3的莫耳添加量较诸P2O5莫耳所添加量少。5.如申请专利范围第1项之光导波路光栅,其中上述覆被层添加有氟素,其折射率被调整为比纯石英玻璃低。6.如申请专利范围第5项之光导波路光栅,其中对上述覆被层之折射率之降低比率若以n-表示时,在上述主核区域的P2O5莫耳添加量被调整为GeO2的莫耳添加量之(0.8-0.7n-)0.2倍倍范围。7.一种制造申请专利范围第1项之光导波路光栅的光导波路光栅的方法,其特征为:在上述光导波路不作氢添加处理,或是在上述光导波路以20气压以下进行添加氢素的氢添加处理后,藉以波长150nm以上、200nm以下的紫外线照射而形成光栅。8.一种制造申请专利范围第1项之光导波路光栅的光导波路光栅的制造方法,其特征为:在上述光导波路的光轴方向以周期性地施加局部加热而形成光栅。图式简单说明:第一图为本发明有关之光导波路光栅的基本构造说明图。第二图为表示第1实施形态之光导波路光栅中P2O5/GeO2莫耳添加量比与损失峰値的温度移动d/dT之关系图。第三图为表示第2实施形态之光导波路光栅中P2O5/GeO2莫耳添加量比与损失峰値的温度移动d/dT之关系图。第四图表示本发明有关之光导波路光栅的制造方法的第1实施形态之说明图。第五图为依照第1实施形态之制造方法所制造的光导波路光栅、与依照习知之制造方法所制造的光导波路光栅,两者制造后遮断中心波长之时间变化比较的曲线图。第六图第八图为分别表示依照第1实施形态之制造方法制造的三种长周期光栅的透过频谱。第九图为表示本发明有关之光导波路光栅的制造方法的第2实施形态之说明图。第十图为表示依照第2实施形态之制造方法所制造的长周期透过频谱。 |
