| 主权项 |
1.一种供具有凹槽之晶圆用之去角取面装置,包括: 一夹持具,其可旋转地固定住具有凹槽之晶圆; 一磨石框架,其可旋转地支承碟形磨石,该磨石在 其径向之前端具有一周围侧面,其之截面的曲率半 径较该凹槽之最小曲率半径小,该截面系经由利用 包含磨石之中心轴的平面切割而得,该晶圆之该中 心线与该磨石之中心线界定一歪斜线关系; 移动元件,其可使该磨石在平行于该晶圆之主平面 的平行延伸平面上沿着该晶圆之凹槽向该晶圆相 对移动,并相对移动该晶圆及该磨石中至少一个, 以便以预定角度与该平行延伸平面相交之相交平 面上,实质上沿该晶圆之切面形状移动该磨石;及 一控制器,其可控制在平行延伸平面及相交平面上 在该晶圆与该磨石之间之相对移动, 其中该控制器 使该磨石作用于该凹槽上,同时并使该磨石相对于 该晶圆而移动,以使其间之接触位置沿该凹槽移动 ,同时在与该晶圆之该主平面平行之第一平行平面 上绘出第一工具移动轨迹,因而沿该凹槽进行第一 切面部分之去角取面; 使该磨石及该晶圆以使其间之接触位置根据该凹 槽之切面形状移动的方式相对移动,而使该接触位 置可对应于该凹槽之第二切面部分,同时在以预定 角度与该平行延伸平面相交之第一相交平面上绘 出第二工具移动轨迹,该第二切面部分实质上不同 于经如此去角取面之该第一切面部分; 使该磨石作用于该凹槽上,同时并使该磨石相对于 该晶圆而移动,以使其间之接触位置沿该凹槽移动 ,同时在与该晶圆之该主平面平行且不同于该第一 平行平面之第二平行平面上绘出第三工具移动轨 迹,因而沿该凹槽进行第二切面部分之去角取面; 使该磨石相对于该晶圆而移动,以使其间之接触位 置根据该凹槽之切面形状移动,而使该接触位置可 对应于该凹槽之第三切面部分,同时在以预定角度 与该平行延伸平面相交之第二相交平面上绘出第 四工具移动轨迹,该第三切面部分实质上不同于经 如此去角取面之该第一及第二切面部分;及 使该磨石作用于该凹槽上,同时并使该磨石及该晶 圆以使其间之接触位置沿该凹槽移动,同时在与该 晶圆之该主平面平行且不同于该第一及第二平行 平面之第三平行平面上绘出第五工具移动轨迹之 方式相对移动,因而沿该凹槽进行第三切面部分之 去角取面,因而将该凹槽去角取面成为多边形。2. 如申请专利范围第1项之去角取面装置,其中该第 一相交平面系不同于该第二相交平面。3.如申请 专利范围第1项之去角取面装置,其中该预定角度 系约90度。4.如申请专利范围第1项之去角取面装 置,其中该控制器以使该第一及第二切面部分彼此 部分重叠,以及使该第二及第三切面部分彼此部分 重叠之方式控制该移动元件。5.如申请专利范围 第1项之去角取面装置,其中该控制器以使在该晶 圆之该凹槽及圆形周围侧面上连续提供各该第一 、第二及第三切面部分之方式控制该移动元件。6 .一种在一去角取面装置中将具有凹槽之晶圆去角 取面之方法,该去角取面装置包括有: 一夹持具,其可旋转地固定住具有凹槽之晶圆; 一磨石框架,其可旋转地支承碟形磨石,该磨石在 其径向之前端具有一周围侧面,其之截面的曲率半 径较该凹槽之最小曲率半径小,该截面系经由利用 包含磨石之中心轴的平面切割而得,该晶圆之该中 心线与该磨石之中心线界定一歪斜线关系; 移动元件,其可使该磨石在平行于该晶圆之主平面 的平行延伸平面上沿该晶圆之该凹槽向该晶圆相 对移动,并相对移动该晶圆及该磨石中至少一个, 以便以预定角度与该平行延伸平面相交之相交平 面上,实质上沿该晶圆之切面形状相对于该晶圆而 移动该磨石;及 一控制器,其可控制在平行延伸平面及相交平面上 在该晶圆与该磨石之间之相对移动, 其中该方法包括下列步骤: 致使该磨石作用于该凹槽上,同时并相对地移动该 磨石,以使其间之接触位置沿该凹槽移动,同时在 与该晶圆之该主平面平行之第一平行平面上绘出 第一工具移动轨迹,因而沿该凹槽进行第一切面部 分之去角取面; 使该磨石及该晶圆以使其间之接触位置根据该凹 槽之切面形状移动的方式相对移动,而使该接触位 置可对应于该凹槽之第二切面部分,同时在以预定 角度与该平行延伸平面相交之第一相交平面上绘 出第二工具移动轨迹,该第二切面部分实质上不同 于经如此去角取面之该第一切面部分; 致使该磨石作用于该凹槽上,同时并使该磨石相对 于该晶圆而移动,以使其间之接触位置沿该凹槽移 动,同时在与该晶圆之该主平面平行且不同于该第 一平行平面之第二平行平面上绘出第三工具移动 轨迹之方式相对移动,因而沿该凹槽进行第二切面 部分之去角取面; 使该磨石及该晶圆以使其间之接触位置根据该凹 槽之切面形状移动的方式相对移动,而使该接触位 置可对应于该凹槽之第三切面部分,同时在以预定 角度与该平行延伸平面相交之第二相交平面上绘 出第四工具移动轨迹,该第三切面部分实质上不同 于经如此去角取面之该第一及第二切面部分;及 致使该磨石作用于该凹槽上,同时并使该磨石及该 晶圆以使其间之接触位置沿该凹槽移动,同时在与 该晶圆之该主平面平行且不同于该第一及第二平 行平面之第三平行平面上绘出第五工具移动轨迹 之方式相对移动,因而沿该凹槽进行第三切面部分 之去角取面,因而将该凹槽去角取面成为多边形。 7.如申请专利范围第6项之去角取面方法,其中该第 一相交平面系不同于该第二相交平面。8.如申请 专利范围第6项之去角取面方法,其中该预定角度 系约90度。9.如申请专利范围第6项之去角取面方 法,其中该第一及第二切面部分彼此部分重叠,及 该第二及第三切面部分彼此部分重叠。10.如申请 专利范围第6项之去角取面方法,其中更包括下列 步骤: 将该晶圆之圆形周围侧面连续去角取面,而在其上 提供该第一、第二及第三切面部分之至少一者。 11.一种碟形半导体晶圆,包括: 形成于晶圆之周围的凹槽,其中沿包含该晶圆之中 心轴之平面将该凹槽之截面去角取面成为多边形 。12.如申请专利范围第11项之晶圆,其中该多边形 系由九个或更多个切面表面所界定。13.如申请专 利范围第11项之晶圆,其中该多边形系由各经形成 为内凹形状之表面所界定。14.如申请专利范围第 12项之晶圆,其中该多边形系由各经形成为内凹形 状之表面所界定。15.如申请专利范围第11项之晶 圆,其中最外部切面表面之滙流线系平行于晶圆之 中心线延伸。16.如申请专利范围第11项之晶圆,其 中界定该多边形之各切面表面具有约0.5微米之最 大表面糙度。17.如申请专利范围第16项之晶圆,其 中界定该多边形之各切面表面具有低于0.1微米之 最大表面糙度。18.如申请专利范围第1项之去角取 面装置,其中该碟形磨石包括至少两个磨石元件, 其被该磨石框架共轴地及可旋转地支撑,并可相互 置换。19.如申请专利范围第18项之去角取面装置, 其中在该至少两个磨石元件之一侧上设有该磨石 框架。20.如申请专利范围第6项之去角取面方法, 其中该多边形系由五个或更多个切面表面所界定 。21.如申请专利范围第6项之去角取面方法,其中 进一步包含: 以其它磨石置换该磨石,其中该磨石及该其它磨石 是被该磨石框架共轴地地及可旋转地支持着。22. 如申请专利范围第6项之去角取面方法,其中该等 致使步骤及该等移动步骤是连续地被执行,以移动 该接触位置来画出往复连续线。23.如申请专利范 围第22项之去角取面方法,其中该等致使步骤及该 等移动步骤是由晶圆的上缘位置朝向下缘位置连 续地被执行。24.如申请专利范围第11项之碟形半 导体晶圆,其中该多边形系由五个或更多个切面表 面所界定。图式简单说明: 第一图系显示晶圆在进行去角取面前之平面图; 第二图系显示在进行去角取面前之晶圆之凹槽形 状的平面图; 第三图系显示在进行去角取面后之晶圆之凹槽形 状的平面图; 第四图系显示在晶圆与磨石之间之关系的平面图; 第五图系显示将晶圆之凹槽去角取面之装置的前 视图; 第六图系显示将晶圆之凹槽之切面形状的横剖面 图; 第七图系显示工具之轨迹的平面图; 第八图系显示工具通路之直立横剖面图; 第九图系显示去角取面方法之直立横剖面图; 第十图系显示去角取面方法之直立横剖面图; 第十一图系显示去角取面方法之直立横剖面图; 第十二图系显示去角取面方法之直立横剖面图; 第十三图系显示去角取面方法之直立横剖面图; 第十四图系显示在晶圆之凹槽及周围侧面之连续 去角取面方法中之工具轨迹之平面图; 第十五图系显示将晶圆之凹槽去角取面之习知之 磨石的直立横剖面图; 第十六图系显示将凹槽去角取面之习知方法之平 面图; 第十七图系显示具有凹槽之晶圆在进行去角取面 前之透视图; 第十八图系显示具有凹槽之晶圆在进行去角取面 后之透视图。 |
