| 主权项 |
1.一种成长钻石晶体之方法,其包含下列步骤:提供 钻石晶体来源,提供复数钻石晶体界定的成长中心 ,藉由将来源及成长中心晶体与一呈粒状形式的溶 剂/催化剂予以混合而生成反应质块,使反应质块 接受适合晶体成长的升高温度及压力条件,至少部 分经由选择来源晶体与成长中心之颗粒大小差而 达成所需碳于溶剂/催化剂之超饱和,及由反应质 块回收钻石晶体。2.如申请专利范围第1项之方法, 其中所需碳于溶剂/催化剂之超饱和主要系经由选 择来源晶体与成长中心间之颗粒大小差异达成。3 .如申请专利范围第1项之方法,其中该来源晶体及 成长中心系由位于颗粒大小范围两端的颗粒提供 。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该成长中心 系由晶种晶体提供。5.如申请专利范围第1项之方 法,其中该来源晶体之存在量系大于成长中心晶体 数量。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该来源 晶体之大小小于20微米。7.如申请专利范围第1项 之方法,其中该溶剂/催化剂包括一种过渡金属。8. 如申请专利范围第7项之方法,其中该过渡金属系 选自铁、钴、镍、锰及含前述任一种金属之合金 。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该升高温度 及压力条件为钻石呈热力学稳定之条件。10.如申 请专利范围第9项之方法,其中该升高温度系于1200 至1500℃之范围及升高压力系于50至70千巴(5至7GPa) 之范围。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该 升高温度及压力条件维持历至少15分钟时间。12. 如申请专利范围第1项之方法,其中该来源及成长 中心钻石与反应质块之含量至少为10%容积比。13. 如申请专利范围第1项之方法,其中该来源及成长 中心钻石与反应质块之含量低于80%容积上。14.一 种钻石晶体质块,其中至少40%系由合成孪晶钻石组 成。15.如申请专利范围第14项之钻石晶体质块,其 中大体整个质块系由孪晶钻石组成。16.如申请专 利范围第14项之钻石晶体质块,其中该孪晶钻石包 括接触孪晶,短空孪晶,多晶合成孪晶及星形孪晶 。17.如申请专利范围第14项之钻石晶体质块,其中 该孪晶钻石包括块状或立方形,板形及柱形钻石。 图式简单说明: 第一图至第十图之图片显示藉本发明方法生产之 孪晶钻石晶体范例。 |
