| 主权项 |
1.一种在介质氧化被膜上形成有含有电子共轭 构造之导电性聚合物组成物层之固体电解电容器, 其特征乃在该聚合物组成物层中含有选自(1)由碳 原子数1-12之直链或支链之饱和或不饱和烷氧基之 至少一个以上取代之烷氧基取代一磺酸阴离子; (2)具有5节或6节之杂环之杂环化合物之磺酸阴离 子(以下称为杂环磺酸阴离子);及(3)脂族多环化合 物之阴离子之至少一种有机阴离子作为掺杂物。2 .如申请专利范围第1项所述之固体电解电容器,其 中作为掺杂物之该有机阴离子系由碳原子数1-12之 直链或支链之饱和或不饱和烷氧基之至少一个以 上取代之烷氧基取代一磺酸阴离子。3.如申请 专利范围第2项所述之固体电解电容器,其中烷氧 基取代一磺酸之芳香族环氢原子系由选自卤原 子、硝基、氰基及三卤甲基中之至少一种取代基 取代之烷氧基取代磺酸。4.如申请专利范围第1 项所述之固体电解电容器,其中作为掺杂物之该有 机阴离子为杂环磺酸阴离子。5.如申请专利范围 第4项所述之固体电解电容器,其中该杂环磺酸阴 离子之杂环骨架系选自一种含有吗、啶、 、味唑、喃、1,4-二恶烷、苯并咪唑、苯并 唑硫、苯并异恶唑、苯并三唑及苯并喃之化学 构造之化合物6.如申请专利范围第4项所述之固体 电解电容器,其中该杂环磺酸阴离子系在其化学构 造内含有一个以上之烷基磺酸取代基。7.如申请 专利范围第1项所述之固体电解电容器,其中作为 掺杂物之该有机阴离子系脂肪族多环化合物之阴 离子。8.如申请专利范围第1项所述之固体电解电 容器,其中该有机阴离子系对导电性聚合物之全反 覆单元以0.1-50莫耳%范围含存者。9.如申请专利范 围第8项所述之固体电解电容器,其系除上述之有 机阴离子以外,尚含有具有掺杂物性能之氧化剂的 还原体阴离子0.1-10莫耳%范围。10.如申请专利范围 第9项所述之固体电解电容器,其中该氧化剂的还 原体阴离子系硫酸阴离子。11.如申请专利范围第1 项所述之固体电解电容器,其中该导电性聚合物组 成物层之导电性聚合物系含有下式(I)所示之反覆 构造单元: (I) 式中:取代基R1及R2各独立的代表由氢、C1-C6之直链 或支链之饱和或不饱和烃基、或C1-C6直链或支链 之饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤原子、硝基、 氰基、三卤甲基、苯基及取代苯基选出之任1个一 价基;又,上述之取代基R1及R2可在任意之位置互相 结合形成至少1个二价链用以形成至少1个以上之5- 7节环之饱和或不饱和之环状构造;X代表杂原子S、 O、Se、Te或NR3,其中R3为C1-C6直链或支链之饱和或不 饱和烃基、苯基、或C1-C6之直链或支链之饱和或 不饱和烷氧基;又上述R1.R2及R3之烷基、烷氧基之 链中亦可任意的含有羰基键、醚键、酯键、醯胺 键及亚胺基键;而代表0-1。12.如申请专利范围第 11项所述之固体电解电容器,其中式(I)之反覆构造 单元为如下式(II)所示: (II) 式中:取代基R4及R5各独立的代表C1-C6直链或支链之 饱和或不饱和烃基、或C1-C6之烃基在任意之位置 互相结合形成含有式中记载之二个氧原子之至少 一个以上之5-7节之杂环构造之取代基;又形成上述 环构造之范围包含取代乙烯撑基或取代0-苯撑基 等之化学构造;代表0-1。13.一种如申请专利范围 第1项所述之在介质氧化被膜上形成有含有n电子 共轭构造之导电性聚合物组成物层之固体电解电 容器之制造方法,其系在介质氧化被膜上藉氧化剂 将聚合性单体化合物聚合之方法,其特征包括;令 下式(III)所示之聚合性单体化合物: (III) (式中:取代基R1.R2及X系与上式(I)所定义者同) 在选自(1)由C1-C12之直链或支链之饱和或不饱和烷 氧基之至少一个以上取代之烷氧基取代一磺酸 阴离子;(2)具有5节或6节之杂环之杂环化合物之磺 酸阴离子(称为杂环磺酸阴离子);(3)脂肪族多环化 合物之阴离子之至少一种可提供有机阴离子之化 合物之存在下进行该聚合反应。14.如申请专利范 围第13项所述之固体电解电容器之制造方法,其中 式(III)之聚合性单体化合物系下式(IV)所示之化合 物: 式中:R4及R5系与上式(II)所定义者相同。15.如申请 专利范围第13或14项所述之固体电解电容器之制造 方法,其进一步包括:将形成有介质氧化被膜层之 阀作用金属阳极箔浸渍于含有聚合物单体化合物 之溶液中之步骤;及浸渍于含有氧化剂及上述有机 阴离子之溶液中之步骤。16.如申请专利范围第13 或14项所述之固体电解电容器之制造方法,其进一 步包括:将形成有介质氧化被膜层之阀作用金属阳 极箔浸渍于含有氧化剂之溶液中之步骤;及浸渍于 含有聚合性单体化合物及上述有机阴离子之溶液 中之步骤。17.如申请专利范围第13或14项所述之固 体电解电容器之制造方法,其进一步包括:将形成 有介质氧化被膜层之阀作用金属阳极箔浸渍于含 有氧化剂之溶液之后,浸渍于含有聚合性单体化合 物及上述有机阴离子之溶液之步骤。18.如申请专 利范围第13或14项所述之固体电解电容器之制造方 法,其进一步包括:将形成有介质氧化被膜层之阀 作用金属阳极箔浸渍于含有聚合性单体化合物之 溶液后,浸渍于含有氧化剂及上述有机阴离子之溶 液之步骤。19.如申请专利范围第13或14项所述之固 体电解电容器之制造方法,其进一步包括:将形成 有介质氧化被膜层之阀作用金属阳极箔浸渍于含 有氧化剂及上述有机阴离子之溶液后,浸渍于含有 聚合性单体化合物之溶液之步骤。20.如申请专利 范围第13或14项所述之固体电解电容器之制造方法 ,其进一步包括:将形成有介质氧化被膜层之阀作 用金属阳极箔浸渍于含有聚合性单体化合物及上 述有机阴离子之溶液后,浸渍于含有氧化剂之溶液 之步骤。21.如申请专利范围第13或14项所述之固体 电解电容器之制造方法,其进一步包括:将形成有 介质氧化被膜层之阀作用金属阳极箔浸渍于含有 氧化剂及上述有机阴离子之溶液后,浸渍于含有聚 合性单体化合物之溶液之步骤多次反覆实行之步 骤。22.如申请专利范围第13或14项所述之固体电解 电容器之制造方法,其进一步包括:将形成有介质 氧化被膜层之阀作用金属阳极箔浸渍于含有聚合 性单体化合物及上述有机阴离子之溶液后,浸渍于 含有氧化剂之溶液之步骤多次反覆实行之步骤。 23.如申请专利范围第13或14项所述之固体电解电容 器之制造方法,其进一步包括:将形成有介质氧化 被膜层之阀作用金属阳极箔浸渍于氧化剂之溶液 后,浸渍于含有聚合性单体化合物及上述有机阴离 子之溶液之步骤多次反覆实行之步骤。24.如申请 专利范围第13或14项所述之固体电解电容器之制造 方法,其进一步包括:将形成有介质氧化被膜层之 阀作用金属阳极箔浸渍于含有聚合性单体化合物 之溶液后,浸渍于含有氧化剂及上述有机阴离子之 溶液之步骤多次反覆实行之步骤。25.如申请专利 范围第13或14项所述之固体电解电容器之制造方法 ,其进一步包括:将形成有介质氧化被膜层之阀作 用金属阳极箔浸渍于含有氧化剂及上述有机阴离 子之溶液后,浸渍于含有聚合性单体化合物之溶液 之步骤多次反覆实行之后,再实行洗净及乾燥之步 骤。26.如申请专利范围第13或14项所述之固体电解 电容器之制造方法,其进一步包括:将形成有介质 氧化被膜层之阀作用金属阳极箔浸渍于含有聚合 性单体化合物及上述有机阴离子之溶液后,浸渍于 含有氧化剂之溶液之步骤多次反覆实行之后,再实 行洗净及乾燥之步骤。27.如申请专利范围第13或14 项所述之固体电解电容器之制造方法,其进一步包 括:将形成有介质氧化被膜层之阀作用金属阳极箔 浸渍于含有氧化剂之溶液后,浸渍于含有聚合性单 体化合物单体化合物及上述有机阴离子之溶液之 步骤多次反覆实行之后,再实行洗净及乾燥之步骤 。28.如申请专利范围第13或14项所述之固体电解电 容器之制造方法,其进一步包括:将形成有介质氧 化被膜层之阀作用金属阳极箔浸渍于含有聚合性 单体化合物之溶液后,浸渍于含有氧化剂及上述有 机阴离子之溶液之步骤多次反覆实行之后,再实行 洗净及乾燥之步骤。29.如申请专利范围第13项所 述之固体电解电容器之制造方法,其中该有机阴离 子系由C1-C12之直链或支链之饱和或不饱和烷氧基 之至少一个以上取代之烷氧基取代一磺酸阴离 子。30.如申请专利范围第29项所述之固体电解电 容器之制造方法,其中烷氧基取代一磺酸之芳香 族环氢原子系由选自卤原子、硝基、氰基、三卤 甲基之至少一种取代基取代之烷氧基取代磺酸 。31.如申请专利范围第13项所述之固体电解电容 器之制造方法,其中有机阴离子系杂环磺酸阴离子 。32.如申请专利范围第31项所述之固体电解电容 器之制造方法,其中该杂环磺酸阴离子之杂环骨架 系选自一种含有吗、啶、、味唑、喃 、1,4-二恶烷、苯并咪唑、苯并唑硫、苯并异恶 唑、苯并三唑及苯并喃之化学构造之化合物。 33.如申请专利范围第31项所述之固体电解电容器 之制造方法,其中该杂环磺酸阴离子系在化学构造 中含有至少一个以上之烷基磺酸取代基。34.如申 请专利范围第13项所述之固体电解电容器之制造 方法,其中该有机阴离子为脂肪族多环化合物之阴 离子。35.如申请专利范围第13项所述之固体电解 电容器之制造方法,其中该氧化剂为过硫酸盐。36. 如申请专利范围第1项所述之固体电解电容器,其 中该固体电解质层之至少一部分系呈层状构造。 37.如申请专利范围第36项所述之固体电解电容器, 其中该至少一部分呈层状构造之该固体电解层层, 系形成于介质被膜上之外部表面成形成于外部表 面及微细孔部分内。38.如申请专利范围第36或37项 所述之固体电解电容器,其中在该层状构造之层间 之至少一部分系具有空间部。39.如申请专利范围 第36或37项所述之固体电解电容器,其中形成该层 状构造之固体电解质之各层的厚度系在0.01-5m之 范围,而该固体电解质层之总厚度系在1-200m之范 围。图式简单说明: 第一图为使用阀作用金属箔之本发明的代表性电 容器之纵断面图; 第二图为实施例29所制备之具有形成有导电性聚 合物层之细微构造之铝箔断面之扫描电子显微镜 照片(5,000倍)。 |
