| 主权项 |
1.一种介电陶瓷组合物,其包括含Ba、Ca、Ti、Mg与Mn 作为金属元素之复合氧化物且具有非核心外壳(non -core-shell)结构。2.一种介电陶瓷组合物,其系由下 式表示者:{Ba1-xCaxO}mTiO2+MgO+MnO, 其中0.001≦≦0.05;0.001≦≦ 0.025;1.000<m≦1.035;而0.02≦x≦0.15, 且具有非核心外壳结构。3.如申请专利范围第1或2 项之介电陶瓷组合物,其另外包括一种烧结助剂, 其用量系相对每100重量份该介电陶瓷组合物其余 组份,使用0.2-5.0重量份。4.如申请专利范围第3项 之介电陶瓷组合物,其中该烧结助剂包括SiO2作为 主要组份。5.一种层合陶瓷电容器,包括 一种由数层介电陶瓷层形成之层合物, 数个位于该层合物侧面之不同位置之外部电极,及 数个收容在该层合物之内部电极,每个内部电极均 位于两个相邻介电陶瓷层界面,使得该内部电极有 一端暴露于侧面之一,使其与该外部电极形成电连 接; 其中 该介电陶瓷层系由含Ba、Ca、Ti、Mg与Mn作为金属元 素之复合氧化物形成且具有非核心外壳结构。6. 一种层合陶瓷电容器,包括 一种由数层介电陶瓷层形成之层合物, 数个位于该层合物侧面之不同位置之外部电极,及 数个收容在该层合物之内部电极,每个内部电极均 位于两个相邻介电陶瓷层界面,使得该内部电极有 一端暴露于侧面之一,使其与该外部电极形成电连 接, 其中 该介电陶瓷层系由下式表示之介电陶瓷组合物形 成:{Ba1-xCaxO}mTiO2+MgO+MnO, 其中0.001≦≦0.05;0.001≦≦ 0.025;1.000<m≦1.035;而0.02≦x≦0.15, 且具有非核心外壳结构。7.如申请专利范围第5或6 项之层合陶瓷电容器,其中该介电陶瓷组合物另外 包括一种烧结助剂,其用量系相对每100重量份该介 电陶瓷组合物其余组份,使用0.2-5.0重量份。8.如申 请专利范围第7项之层合陶瓷电容器,其中该烧结 助剂包括SiO2作为主要组份。9.如申请专利范围第5 或6项之层合陶瓷电容器,其中该内部电极包含Ni或 Ni合金。10.一种层合陶瓷电容器之制造方法,包括 下列步骤: 制备包括由{Ba1-xCaxO}TiO2表示之化合物、一种Mg化 合物与一种Mn化合物且具有非核心外壳结构之混 合物的步骤; 藉由层合数片包含该混合物之未淬火陶瓷板与数 个内部电极以制造一层合物之步骤,其中该内部电 极均沿着介于两片相邻未淬火陶瓷板特定界面形 成,使得每个内部电极一端暴露侧面之一; 烧制该层合物以烧结该混合物之步骤,而形成一种 介电陶瓷产物;及 在该层合物每个侧面形成数个外部电极之步骤,使 每个暴露于该侧面之内部电极一端与该外部电极 之一形成电连接。11.如申请专利范围第10项之层 合陶瓷电容器之制造方法,其中以{Ba1-xCaxO}TiO2表示 之化合物包含一种硷金属氧化物作为杂质,其含量 为0.03重量%或以下。12.如申请专利范围第10或11项 之层合陶瓷电容器之制造方法,其中以{Ba1-x CaxO}TiO 2表示之化合物的平均粒子大小为0.1-0.8微米。13. 如申请专利范围第12项之层合陶瓷电容器之制造 方法,其中以{Ba1-xCaxO}TiO2表示之化合物的平均粒子 大小介于0.1与0.3微米,包括0.1与0.3微米。14.如申请 专利范围第12项之层合陶瓷电容器之制造方法,其 中以{Ba1-xCaxO}TiO2表示之化合物的平均粒子大小大 于0.3微米但是不大于0.8微米。15.如申请专利范围 第10项之层合陶瓷电容器之制造方法,其中(介电陶 瓷产物平均颗粒大小)/(所提供原材料粉末平均粒 子大小)之比率系以R表示,其介于0.90与1.2,包括0.90 与1.2。16.如申请专利范围第1项之介电陶瓷组合物 ,其另外包括一种稀土金属,其以RE表示。17.如申请 专利范围第16项之介电陶瓷组合物,其系以{Ba1-x- yCaxREyO}mTiO2+MgO+MnO表示,其中0.001≦≦0.05;0. 001≦≦0.025;1.000<m≦1.035;0.02≦x≦0.15;0.001≦y≦0. 06。18.如申请专利范围第16或17项之介电陶瓷组合 物,其中RE系至少一种选自包括Y、Gd、Tb、Dy、Ho、 Er与Yb之元素。19.如申请专利范围第16或17项之介 电陶瓷组合物,其另外包括一种烧结助剂,其用量 系相对每100重量份该介电陶瓷组合物其余组份,使 用0.2-5.0重量份。20.如申请专利范围第19项之介电 陶瓷组合物,其中该烧结助剂包括SiO2作为主要组 份。21.如申请专利范围第5项之层合陶瓷电容器, 其中该介电陶瓷层另外包括一种稀土金属元素,其 以RE表示。22.如申请专利范围第21项之层合陶瓷电 容器,其中该介电陶瓷层系由{Ba1-x-y CaxREyO}m TiO2+ MgO+MnO表示,其中0.001≦≦0.05;0.001≦≦0.025;1. 000<m≦1.035;0.02≦x≦0.15;0.001≦y≦0.06。23.如申请专 利范围第21或22项之层合陶瓷电容器,其中RE系至少 一种选自包括Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er与Yb之元素。24. 如申请专利范围第21或22项之层合陶瓷电容器,其 另外包括一种烧结助剂,其用量系相对每100重量份 该介电陶瓷组合物其余组份,使用0.2-5.0重量份。25 .如申请专利范围第24项之层合陶瓷电容器,其中该 烧结助剂包括SiO2作为主要组份。26.如申请专利范 围第21或22项之层合陶瓷电容器,其中该内部电极 包含Ni或Ni合金。27.一种层合陶瓷电容器之制造方 法,包括下列步骤: 制备包括由{Ba1-x-yCaxREyO}m TiO2表示之化合物,其中RE 是一种稀土金属元素、一种Mg化合物与一种Mn化合 物且具有非核心外壳结构之混合物的步骤; 藉由层合数片包含该混合物之未淬火陶瓷板与数 个内部电极以制造一层合物之步骤,其中该内部电 极均沿着介于两片相邻未淬火陶瓷板特定界面形 成,使得每个内部电极一端暴露于侧面之一; 烧制该层合物以烧结该混合物之步骤,而形成一种 介电陶瓷产物;及 在该层合物每个侧面形成数个外部电极之步骤,使 得每个暴露于该侧面之内部电极一端与该外部电 极之一形成电连接。28.如申请专利范围第27项之 层合陶瓷电容器之制造方法,其中以{Ba1-x-y Cax REyO} m TiO2表示之化合物包含一种硷金属氧化物作为杂 质,其含量为0.03重量%或以下。29.如申请专利范围 第27或28项之层合陶瓷电容器之制造方法,其中以{ Ba1-x-y CaxREyO}m TiO2表示之化合物的平均粒子大小为 0.1-0.8微米。30.如申请专利范围第29项之层合陶瓷 电容器之制造方法,其中以{Ba1-x-y CaxREyO}m TiO2表示 之化合物的平均粒子大小介于0.1与0.3微米,包括0.1 与0.3微米。31.如申请专利范围第29项之层合陶瓷 电容器之制造方法,其中以{Ba1-x-y CaxREyO}m TiO2表示 之化合物的平均粒子大小大于0.3微米但是不大于0 .8微米。32.如申请专利范围第27项之层合陶瓷电容 器之制造方法,其中(介电陶瓷产物平均颗粒大小)/ (所提供原材料粉末平均粒子大小)之比率系以R表 示,其介于0.90与1.2,包括0.90与1.2。图式简单说明: 第一图系根据本发明进行模式之一制得之层合陶 瓷电容器剖面图。 |
