| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 웨이퍼의 포토마스킹 공정에 의해 형성된 패턴, 예를 들면, 라인, 스페이스 및 비아 패턴의 경사도를 측정하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 상기 패턴의 두께(b)와, 전자주사 현미경을 이용하여 상기 패턴의 폭(w)과 상기 패턴의 테이퍼진 상측부 폭(t)을 측정한 다음,라는 수학식을 이용하여 상기 패턴의 경사정도(θ)를 계산한다. 이때, 측정되는 패턴의 경사도는 패턴 양측의 경사도의 평균값을 나타낸다. 따라서, 종래기술에서와 같이 경사도 테이블을 이용하거나 또는 반도체 웨이퍼를 절단함으로써 경사도를 측정하지 않고도 보다 정확하고 간단한 경사도 측정이 가능하다.</p> |
