发明名称 SUBSTRATE ETCHING DEVICE AND SILICON MEMBRAIN MANUFACTURING METHOD USING THE SUBSTRATE ETCHING DEVICE
摘要 <p>이 발명은 기판 식각 장치 및 이를 이용한 실리콘 멤브레인 제조 방법을 개시한다. 실리콘 기판의 하부면의 일부를 설정된 실리콘 멤브레인 두께만큼 식각하여 적어도 하나 이상의 식각 영역을 형성한 다음, 식각 영역에 각각 금속막을 증착한다. 다음에 실리콘 기판의 상하부면에 보호막을 형성하고, 실리콘 기판의 상부면에 형성된 보호막의 일부를 제거하여 식각 영역에 대응하는 측정 영역의 제1 개구부와 소자를 형성하기 위한 활성 영역의 제2 개구부를 형성한다. 보호막 중 제거되지 않은 보호막을 식각 마스크로 하여 제1 및 제2 개구부를 통하여 측정 영역이 및 활성 영역을 식각하며, 식각시에 일정량의 광을 식각 영역의 금속막으로 조사한다. 제1 개구부를 통하여 금속막이 노출됨에 따라 금속막으로 조사되는 광의 일부가 투과되어 금속막으로부터 반사되는 광의 세기가 최고치에서 감소되기 시작하여, 금속막이 모두 식각되어 반사되는 광이 최소치로 감소되는 구간내에서 식각 공정을 종료한다. 따라서, 식각 용액의 농도 및 온도 변화 그리고 식각 시간에 상관없이 설정된 두께를 가지는 실리콘 멤브레인을 용이하게 제조할 수가 있다.</p>
申请公布号 KR100291555(B1) 申请公布日期 2001.05.15
申请号 KR19990029367 申请日期 1999.07.20
申请人 null, null 发明人 박광범;황학인;장세홍;박준식;이경일;최연식;김성진;나경원;김선희;문은아
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
地址