| 摘要 |
<p>본 발명은 갈륨 및 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체의 선택적 식각방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 고속 전자이동 트랜지스터(HEMT: high electron mobility transistor)나, 모듈레이션 도우프 전계 효과 트랜지스터(MODFET: modulation doped field effect transistor)와 그 밖의 전자소자 제작을 위한 질화알루미늄갈륨(AlGaN)에 대한 질화갈륨(GaN) 고(高)선택비의 이방성 건식 식각방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 질화물 반도체 건식 식각은 전자소재 제작을 위하여 기존의 염소/아르곤(Cl/Ar) 가스 혼합물에 산소, 황 또는 셀레늄을 첨가하고 이들의 플라즈마를 이용하여 질화알루미늄갈륨에 대한 질화갈륨의 선택적인 식각뿐만 아니라 이방성이 큰 식각 방법을 제공한다.</p> |
