| 摘要 |
<p>본발명은 반도체 소자의 할로 이온주입 방법에 관한 것으로, 상대적으로 패턴의 밀집도가 높은 셀어레이 영역과, 상대적으로 패턴의 밀집도가 낮은 주변회로 영역으로 구성된 반도체 소자에 있어서, 셀어레이 영역의 소스/드레인 정션이 할로이온주입에 노출되지 않도록 함으로써 데이터 유지 특성을 향상시킬 수 있다. 본발명의 반도체 소자의 할로이온주입 방법은, 적어도 하나의 플랫존(31)을 갖는 반도체 기판을 준비하고, 상기 반도체 기판위에 게이트 산화막(미도시)을 형성하고, 상기 게이트 산화막위에 다수의 게이트 전극(32a, 32b)을 형성하되, 상기 각 게이트 전극(32a)은 상기 플랫존에 수평인 방향으로 배열되도록 하였을 때, 상기 플랫존의 위치에서 웨이퍼(반도체 기판)을 45도, 135도, 225도, 315도 수평 회전한 방향(d1', d2', d3', d4')에서 할로이온주입을 실시하는 반도체 소자의 할로이온주입 방법을 제공한다.</p> |
