| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 제조시 불순물 이온 주입에 의한 접합층(junction layer)을 얕게 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 얕은 접합층 형성방법은, 반도체 기판 상에 소정 두께로 완충막을 적층하고, 완충막이 적층된 기판 상에 불순물 이온을 소정의 주입 에너지로 주입한다. 여기서, 상기 완충막의 적층 두께는 주입되는 불순물 이온들이 기판의 표면 가까이에 집중되도록 충분히 두껍게 한다. 또한 상기 불순물 이온이 주입된 결과물을 열처리하여, 소정 깊이로 주입된 불순물 이온을 편석(segregation)시키는 단계를 더 구비할 수 있다. 본 발명에 따르면, 불순물 이온 주입시 기판의 손상을 막기 위해 적층하는 완충막을 두껍게 함으로써 불순물 이온들이 기판 표면 가까이에 주입되도록 하고, 이후의 열처리를 이용하여 불순물 이온들이 재배열될 때 기판의 표면 가까이로 편석되도록 함으로써 더욱 얕은 접합층을 형성할 수 있다.</p> |
