quantum dot infrared detection device and method for fabricating the same
摘要
<p>양자점에서 검지한 미약한 원적외선 신호를 상온에서도 냉각을 하지 않고 원적외선을 검지하는 양자점 원적외선 수광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 베리어층 및 채널층을 포함하는 헴트(HEMT) 구조를 고온에서 성장시킨 후 그 위에 양자점과 분리층이 교대로 적층된 양자점부를 저온으로 성장시켜 원적외선 수광 소자를 제조함으로써, 상온에서 냉각없이 동작이 가능하고 그 특성이 향상되며 소자의 크기 및 가격을 낮출 수 있다.</p>
