Verfahren zur Herstellung eines lateral monolithisch integrierten Lichtemissions-Halbleiterbauelements

摘要

Ein Lichtemissions-Halbleiterbauelement wird dadurch hergestellt, daß in eine auf einem Halbleitersubstrat (1) aufgebrachte Maskenschicht (100) eine Anzahl Fensteröffnungen (200) unterschiedlicher Größe geformt wird und das Zwischenprodukt durch metallorganische Gasphasenepitaxie derart mit metallorganischen Verbindungen beaufschlagt wird, daß in den Fensteröffnungen (200) aktive, elektrolumineszierende Halbleiterschichtenfolgen (2) mit unterschiedlicher Zusammensetzung eines ternären oder quaternären Halbleitermaterials aufgewachsen werden.