| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines ladungsgekoppelten Halbleiterbauelements mit vergrabenem Kanal (BCCD) |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE4041014(C2) |
申请公布日期 |
2001.05.10 |
| 申请号 |
DE19904041014 |
申请日期 |
1990.12.20 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
PARK, YONG;LEE, SEO KYU |
| 分类号 |
H01L21/266;H01L21/339;H01L27/148;H01L29/10;H01L29/762;H01L29/768;(IPC1-7):H01L21/339;H01L29/765;H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/266 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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