| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE COMPOSANTS DE PUISSANCE VERTICAUX |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant de puissance vertical sur une plaquette de silicium comprenant les étapes consistant à faire croître une couche épitaxiale faiblement dopée (11) d'un second type de conductivité sur la surface supérieure d'un substrat (10) fortement dopé du premier type de conductivité, la couche épitaxiale ayant une épaisseur adaptée à supporter la tension maximale susceptible d'être appliquée au composant de puissance lors de son fonctionnement; et à délimiter dans la plaquette une zone correspondant à au moins un composant de puissance par un mur d'isolement formé en perçant une tranchée à travers la couche épitaxiale et en faisant diffuser à partir de cette tranchée un dopant du premier type de conductivité à fort niveau de dopage (14).</P> |
| 申请公布号 |
FR2800515(A1) |
申请公布日期 |
2001.05.04 |
| 申请号 |
FR19990014012 |
申请日期 |
1999.11.03 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS SA |
发明人 |
AURIEL GERARD;CORNIBERT LAURENT |
| 分类号 |
H01L29/74;H01L21/225;H01L21/331;H01L21/332;H01L21/76;H01L21/761;H01L21/763;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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