| 发明名称 |
Nichtflüchtige PMOS-Speicheranordnung mit einer einzigen Polysiliziumschicht |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69610062(T2) |
申请公布日期 |
2001.05.03 |
| 申请号 |
DE19966010062T |
申请日期 |
1996.11.19 |
| 申请人 |
PROGRAMMABLE MICROELECTRONICS CORP., SAN JOSE |
发明人 |
CHANG, SHANG-DE T. |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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