碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法

摘要

一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，热处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成，热处理样品所需的ＣｄＴｅ覆盖层通过外延后直接生长的方法制备，杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达１００％，空穴浓度可在４×１０＃+[15]到5×10＃+[6]ｃｍ＃+[-3]范围内随意控制。同时，材料的组分和表面形貌的完整性得到了很好的保持。

主权项

1．一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，包括碲镉汞分子束外延工艺、在碲镉汞分子束外延材料上生长一层CdTe覆盖层工艺和热处理工艺，其特征在于：a．带有CdTe覆盖层的碲镉汞样品直接在分子束外延的生长室中进行真空热处理，或者将该碲镉汞样品置于真空封闭的石英安瓿中进行热处理；b．热处理温度在200℃到320℃范围内，通过改变热处理温度将碲镉汞外延材料的77K温度下的空穴载流子浓度调整在5×1015到5×1016cm-3之间。