带电粒子束光刻装置以及带电粒子束的光刻方法

摘要

一种带电粒子束光刻装置,从电子束发生源射出的电子束,由第1图形选择偏转部使其偏转方向照射在第1掩膜的规定孔上,透过第1掩膜的电子束由第2图形选择偏转部使其偏转方向后,照射在第2掩膜上,和照射在晶片台上装载的晶片上,进行部分汇总曝光。在第2掩膜上,形成光刻单元阵列图形的中心部图形的部分汇总曝光掩膜,不形成剩余图形用的部分汇总曝光掩膜。在第1掩膜上,开设了主孔和与该主孔的整数份之1面积的能够照射剩余图形部的孔。

主权项

1．一种带电粒子束光刻装置，是从带电粒子源射出的带电粒子通过第1掩膜照射在具有1个或多个的部分汇总曝光用掩膜的第2掩膜的一部分汇总曝光用掩膜上，并将该一部分汇总曝光用掩膜的图形光刻在试料上的汇总部分曝光方式的带电粒子光刻装置，其特征在于，在前述第1掩膜上形成能够照射前述部分汇总曝光用掩膜的全区域的主孔和前述主孔的整数份之1的孔面积的辅助孔并构成使得从前述带电粒子源射出的带电粒子照射在前述第1掩膜的任意孔上。